日本セミラボ

横浜市港北区,  神奈川県 
Japan
http://www.semilab-j.jp
  • 小間番号4208

                                                                         日本セミラボ株式会社
                                                                     For All Your Metrology Needs
 
                                        ※半導体検査測定装置の販売及び技術サービスをご提供しています。
 
・ キャリア  ライフタイム測定装置 ・ Epi(エピ)膜厚測定装置 ・ パワーデバイス ・ COMS イメージャー
・ 分光エリプソメーター ・ キャリア移動度測定装置 ・ 量子ドット ・ メモリー
・ 結晶欠陥検査装置 ・ DLTSシステム ・ NAND ・ 抵抗率
・ トレンチ溝評価装置 ・ 結晶欠陥可視化装置 ・ SAWフィルタ ・ BAWフィルタ
・ 全自動拡がり抵抗測定装置 ・ イオン注入プロセスモニター ・ キャリア濃度
・ キャリア濃度測定装置 ・ ラマン分光
・ 水銀プローブCV-IV測定装置 ・ フォトルミネッセンス
・ 金属汚染評価装置 ・ エピ抵抗率測定装置
・ 非接触CV測定装置 ・ SiC GaN HEMT InP化合物向け
 


 出展製品

  • 化合物半導体向け検査装置 SiC,GaN,酸化ガリウム,InPなど
    エピキャリア濃度測定 非接触移動度、シート抵抗測定 高抵抗材料向け非接触抵抗率測定 SiC Si エピ膜厚測定 フォトルミ欠陥測定(画像) ...

  • エピキャリア濃度測定 SiC,GaN HEMT
    非接触移動度、シート抵抗測定 SiC,GaN
    高抵抗材料向け非接触抵抗率測定 SiC
    エピ膜厚測定 SiCエピ膜
    フォトルミ欠陥測定 InP(画像)
  • 電気測定、膜評価測定装置
    水銀CV,非接触CV測定 エピ膜 抵抗率測定(画像) 非接触シート抵抗測定 ライフタイム測定 トレンチ測定 全自動分光エリプソメーター...

  • 水銀CV,非接触CV測定
    エピ膜 抵抗率測定(画像)
    非接触シート抵抗測定
    ライフタイム測定
    トレンチ測定
    全自動分光エリプソメーター
  • 汚染・欠陥評価測定装置
    常温フォトルミネッセンス結晶欠陥測定 ストレス測定 イオン注入ドーズ量測定 高感度SPV, 非接触CV測定(画像)...

  • 常温フォトルミネッセンス結晶欠陥測定
    ストレス測定
    イオン注入ドーズ量測定
    高感度SPV,非接触CV測定(画像)
  • 研究開発向け装置
    キャリア分解型ホール効果測定(左画像)・卓上型分光エリプソメーター・DLTS測定・拡がり抵抗測定...

  • 日本セミラボでは、皆様の研究開発のお手伝いをするべく、様々な測定装置を取り揃えております。

    キャリア分解型ホール効果測定装置:PDL-1000
    IBMの開発したParallel Dipole Magnet方式による、コンパクトで高感度のAC磁界式ホール測定装置です。
    オプションのCRPH(Carrier Resolved Photohall)を持ちいることで、少数キャリアの情報を分離することも可能です。

    卓上型分光エリプソメーター:SE-2000
    エリプソメーターのパイオニアである仏Sopra社の技術を受け継いだベストセラー機です。
    深紫外から中赤外のスペクトルをカバーし、高精度測定が可能な回転補償子を搭載したエリプソメーターです。

    DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)測定装置:DLS-1100/83D
    ウェハープロセス時に生じる金属汚染およびダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度で測定できます。
    オプションのクライオスタッドにより、80K~800K(LN2式オプション)、30K~325K(He式)の温度変化を得ることが可能です。

    拡がり抵抗測定装置:SRP-2100/170
    SRPでは、Siデバイス全体のキャリア濃度、抵抗率プロファイルを確認できます。
    電気抵抗、シート抵抗、抵抗率、ドーピング濃度、キャリア密度の測定が可能です。