当社は半導体プロセスにおけるウェーハ表面金属汚染分析、膜厚測定、ドーパント濃度、密度、結晶性、配向性、結晶欠陥など X 線メトロロジーによるソリューションをお客様へご提供しております。当社の X 線技術は先端デバイスから、パワーデバイス、MEMS, RF デバイスなど、幅広い分野で応用されています。本展示会では、発表以来、大変ご好評を頂いております 300mm ウェーハ用金属汚染分析装置“XHEMIS TX-3000”や、先端デバイス向けの In-Line 高速膜厚測定、非破壊による 3 次元形状測定装置など、各デバイスに適したソリューションをご紹介します。また、この度新たにスタートした、先端パッケージング向けの新たな自動 X 線検査装置のプロジェクトについて、プライベートイベントとして限定公開いたします。