アールデック

【特徴】

・高融点金属から半導体・酸化物まで蒸着が可能

・多層膜連続成膜制御

・高性能6連電子ビーム蒸着源

・リフトオフ蒸着に最適な基板冷却機構を装備（実測値：Al 蒸着時　基板表面温度50℃以下）

・成膜条件（レシピ）を選択して「START」ボタンをクリックするだけで真空排気から成膜完了まで自動制御

・基板サイズ：□10mm ～　φ8インチ

・高速真空排気　（L/L室：大気圧からE-3Paまで3分以内）

【用途】

・リフトオフ蒸着による半導体デバイス、量子デバイス等の金属電極形成

・高融点金属や酸化物など異種材料を積層した新デバイスの研究開発

【特徴】

・加熱方式：内熱式（赤外線ランプ）、加熱温度：150℃～550℃ (フラッシング：650℃)

・処理温度：±10℃以内　（ワーク温度）

・炉内有効寸法：300mm x 300mm x 300mm　3段ワークステージ耐荷重：各段20kg

・完全ドライ真空排気系　到達圧力<1E-5Pa, 処理中圧力<5E-4Pa

・ガス計測:四重極質量分析計　1~100 amu, 放出ガスプロセス管理：最大16ch, 質量1~100amuで経時測定

【用途】

・真空用部品、半導体部品、光学部品などの性能/品質向上

・エタロンを使用した平行配列ビームスポット(特許)を作り各スポット間隔を測定

・反り、反り高さ、薄膜応力、反射率、膜厚（オプション）を2D/3Dマッピング

・対象：半導体ウェハ、光学ミラー、レンズ、ガラス基板等

MOS Thermal Scan

・真空加熱チャンバーとガス導入機構によりプロセスガス雰囲気中での加熱時におけるウェハー反りなどが測定可能。

・加熱温度：ラインスキャン　1000℃、2D/3Dマッピング測定　600℃

・スタンドアロン型システムで、最大φ800mmまでのサイズに対応します。

・ウェハキャリア上のクラックや残留膜の有無を放射率マッピング測定にて簡単に行えます。残留薄膜やクラックは膜中への不純物や温度ムラの原因となりウェハの品質・歩留まりに影響を及ぼしますので、ウェハキャリア交換時期を明確に 判断できることで生産効率が向上します。また。ウェハキャリアにクラックが発生した状態で使用すると、SiCコー ティング下のカーボンが成膜の品質に影響を及ぼすだけでなく、ウェハキャリア自体が成膜　　プロセス中又はアニール処理中に粉々に破損しかねません。

・ウェハキャリア入荷時のポケットのザグリ具合の均一性チェックが行えます（ウェハキャリアの品質検査）。

・オプションのUVフォトルミネッセンス測定にてウェハやウェハキャリア上のダストや他の異物の検出が出来ます。

• 多様な研究開発ニーズに対応
• 成膜レシピにより自動で同時多元スパッタ成膜が可能
• 安全で簡単に操作可能

＊特徴

• 3インチスパッタ源を4源まで搭載可能。4源同時スパッタも可能
• RF / DCスパッタ対応。　基板サイズ　φ3インチ。　基板加熱温度1000℃（制御温度）
• レシピ制御機能 スパッタ電源出力、各ガス流量、プロセス圧力、成膜時間、基板温度などを組合わせてプロセスレシピを作成
• 視認性と操作性に優れた独自開発制御ソフト　
• 成膜室は高真空脱ガス処理による低ガス放出（到達圧力：1E-5Pa以下）
• 成膜条件（レシピ）を選択して「START」ボタンをクリックするだけで真空排気から成膜完了まで自動制御
• 高速真空排気　(L/L室：大気圧から1E-2Paまで10分以内)

＊用途

• 　超伝導薄膜
•    水素吸蔵合金薄膜
• 　エピタキシャル成長膜
• 　金属、酸化物など異種材料積層薄膜