半導体は、電子機器・自動車・生成AI などの先端技術に欠かせないものであり、高い信頼性と高機能が求められています。
さらに、次世代半導体の高集積化により温度・電気的特性評価が重要となります。
エスペックでは、次世代半導体の実用化に向けた試験課題に最適な試験装置をご提案いたします。
・国際標準対応の計測器による高精度な測定
・ストレス定電圧(ストレス電圧・測定電圧)は、100V仕様とオプションの300V、500V仕様をご用意 ※1000V、2500Vの高電圧にもカスタマイズで対応可能
・独自の瞬断検出回路により、瞬時のマイグレーション現象を検知
・コンデンサ絶縁劣化特性の自動評価が可能
従来の試験規格に沿ったショートパワーサイクルからロングパワーサイクル試験と次世代パワー半導体をセラミック基板へ実装したパワーモジュールの信頼性を評価する技術として過渡熱抵抗測定を機能追加しました。
・解析機能:構造関数 算出手順(発明技術:特許2019-127344号)
・目的:初期状態から経時変化による容量と抵抗成分の変化を捉える
・手法:冷却法による過渡熱抵抗測定
・効用:構造部の放熱までの経路の劣化箇所を見つけることが可能
・温湿度範囲:-40℃~+100℃/20%rh~98%rh (型式:PL)
・Smart R&D(冷凍&除湿)システムにより、試験条件でメイン・サブの冷凍を切り替え、効率よく運転することで、消費電力を大幅に低減
・長期連続運転には給水タンクの追加や水漏れ対策のオプションもご用意
・吹出温度制御範囲:-40℃~+180℃
・安定時温度変動:(先端ヒータータイプ)±1.0℃ (背面ヒータータイプ)±0.5℃
・温度変化速度(上昇:-29℃⇒169℃、下降:+169℃⇒-29℃)
(先端ヒータータイプ)100℃/分
(背面ヒータータイプ)10℃/分
・外寸:W560×H1376×D684mm
・無風状態での槽内均一化と素早い温度変化で試験効率の向上を実現(温度範囲:-30℃~+130℃)
・卓上型で省スペースでの使用が可能(試験槽外法:W272×H130×D232mm+コントローラー:W220×H135×D320mm)
・低振動、配線短縮による観察・計測品質の向上
・観測窓内へのドライエアー配管を標準装備し、低温試験時の窓ガラスの曇りを防止