オキサイド

北杜市,  山梨県 
Japan
http://www.opt-oxide.com
  • 小間番号3842


次世代半導体材料 酸化ガリウム(β-Ga2O3)や半導体関連の高品質な単結晶を展示いたします。

オキサイドとセラテックジャパンは、次世代半導体材料である酸化ガリウム(β-Ga2O3)の基板サンプルを展示します。β-Ga2O3は、高電圧下での使用や省エネ・高効率の実現が可能であり、高電圧・大電流を扱う分野での半導体デバイス開発が期待されています。

また、当社で育成した半導体検査装置向けの高品質な非線形結晶や、SAM (GaN / InGaN 薄膜成長用基板) も展示しております。ぜひ弊社ブースにお立ち寄りください。


 出展製品

  • 酸化ガリウム(β-Ga2O3)
    φ4インチのβ-Ga2O3単結晶の基板サンプルを展示...

  • 当社が垂直ブリッジマン法で育成したφ4インチのβ-Ga2O3単結晶を、セラテックジャパンで切断研磨加工したΦ4サイズβ-Ga2O3基板サンプルを展示します。
  • SAM (GaN / InGaN 薄膜成長用基板)
    GaN薄膜成長用基板にSAM結晶をご紹介します。...

  • GaN薄膜成長用基板は主にサファイア基板が用いられておりますが、ScAlMgO4(以下、SAM)結晶は、格子不整合および熱膨張係数差がさ小さいことから、成長した薄膜の転位密度や歪低減の効果が期待できます。(In0.16Ga0.84Nとは完全格子整合します。) SAM基板結晶を用いることにより、高品質なGaNおよびInGaN薄膜の成長が理論的に可能です。
  • CLBO(CsLiB6O10単結晶 )
    半導体検査に用いられる紫外線発生用の波長変換材料です。...

  • 吸収波長端が180nm台と短く、複屈折が小さいことからウォークオフ角も小さく、ビーム品質の良い紫外光発生に適しています。266nmでの光損傷閾値は石英ガラスの1.7倍以上と高く、非線形光学定数d36が532nmで0.92pm/Vと大きいため、高出力紫外光発生にも有利です。さらに短波長の213 nmや200nm以下への変換も可能で、一部で実用化されています。