深紫外線の殺菌効果並びに水銀ランプ代替用途により、深紫外LEDの需要は高まっています。
深紫外LEDについては、予てより高効率化と低コスト化が大きな課題となっていましたが、弊社では三重大学(三宅教授)とのスパッタ・アニール法の共同研究を経て、この課題を克服し、高効率かつ低コストなサファイア基板上AlNテンプレートを実現しました。
また、従来市販されているAlNテンプレート[AlN on Sapphire]に比べ、結晶品質が非常に高く、世界最高の結晶性を有しています。
項目 |
AlN(0002)XRC-FWHM |
AlN(10-12)XRC-FWHM |
弊社製品 |
13(arcsec) |
118(arcsec) |
市販製品 |
150(arcsec) |
1000(arcsec) |
結晶品質が一桁向上し、歩留まり・リーク電流の改善につながり、低コスト・高効率なLEDが作成可能です。