トリニティー

EPIウエハー

•Epi Dopant：
•P type（dopant: B2H6）
•N type（dopant: PH3 or AsH3）
•Epi Res：
•P type (B2H6） ≥0.01 ohm.cm
•N type（PH3） ≥0.005 ohm.cm
•N type（AsH3） ≥0.005 ohm.cm
•Epi Thk：
•2-150 μm
•Epi Structure：
•P/P-, P/P+, P/N-, P/N+
•N/N-, N/N+, N/P-, N/P+
•Multiple epi P/P/P-, P/N/P+,

Bareウエハー

用途に合わせて別途ご提案させて頂きます。

その他加工ウエハーもございますので、お気軽にお問い合わせください。

6～8インチ

Dummy grade

Production grade

６、8インチ EPI

成膜や特殊加工についても対応可能です。お気軽にお問い合わせください。

インゴット以外にもアズスライス品やグラインド品も提供しております。

お気軽にお問い合わせください。

構造: 立方晶、単結晶
粒子サイズ: 厚さとプロセスに依存 (0.05 – 1 mm)
厚さ: 最大 2 mm
寸法公差: ±50 μm
研磨アスペクト比: 直径 145 mm までで最大 50:1
パワー: <0.5 縞/cm
不規則性: <0.5 縞/cm
透過波面: <0.5 縞/cm
表面粗さ: <15 nm

光学特性
10.6 μm でのバルク吸収: <0.07 cm-1
1 um でのバルク吸収: <1 cm-1
1 μm での散乱: <0.7 cm-1

シリコン単結晶インゴットからご要望のパーツを製造致します。

お気軽にお問い合わせください。