材料の様々な特性を制御するにあたって価電子帯・伝導帯・バンドギャップといったバンド構造の把握は極めて重要な評価項目となっています。
中でもバンドギャップは、従来の手法では評価可能な材料が限られていました。
低エネルギー逆光電子分光(LEIPS)によって伝導帯（電子親和力）が測定できるようになったことにより、
紫外光電子分光(UPS)による価電子帯の測定と組み合わせたバンドギャップ評価が可能となりました。
ここでは測定例としてSi基板のUPS・LEIPSスペクトルをご紹介します。
バルク材料のみに留まらず、薄膜の評価（例えば、成膜条件違いの薄膜の試料間比較）にも有効です。