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芝浦メカトロニクス

横浜市栄区,  神奈川県 
Japan
https://www.shibaura.co.jp
  • 小間番号E6045


芝浦メカトロニクスグループの新しい技術をご覧いただきたく、ご来場をお待ち申し上げております。

芝浦メカトロニクスグループではフォトマスク製作工程・ウェーハ製作工程・デバイス工程・ボンディング工程向けの各種製造装置を最先端からレガシー装置まで取り扱っています。また、メンテナンスや中古装置販売のサービスも行っており、幅広くお客様のご要望にお応えします。

 出展製品

  • ハイエンド2.XDパッケージボンダ TFC-6500/TFC-6500-W
    最先端パッケージに適合した高精度/マルチダイプロセス対応ボンダです。 当社では、サーバや生成AIに用いられるGPU/CPU向けなどの最先端パッケージ分野に力を入れた製品化を進めており、高い技術力と豊富な実績を有しています。 多様化するチップレット製品に適合し「高精度」、「マルチダイプロセス対応」でお客様の生産に貢献します。また、本装置は市場で注目されているパネルプロセスにも適合が可能です。...

    • ①高精度　・・・Face down精度±1μm(3σ; Local認識/R.T条件)
    ②マルチダイプロセス対応　・・・ウェーハ&テープリール供給、オートツールチェンジ機能搭載
    ③ウェーハ/基板選択可能　・・・300mmウェーハ/□320mm基板への実装可能
  • ハイエンドウェーハレベルパッケージボンダ TFC-6600
    高密度のウェーハレベルパッケージを含む最先端用途に適合した高精度/高生産性ボンダです。 当社はスマートフォン、PCなどに用いられるアプリケーションプロセッサをはじめとしたUHD FO-WLP分野含め、高い技術力と豊富な実績を有しています。 UHD FO-WLP製品の生産も「高精度Face up実装」、「高生産性」で実現します。 また、本装置は市場で注目されているパネルプロセスにも適合が可能です。...

    • ①高生産性　・・・Dry UPH 5,000以上(2ヘッド構成)
    ②高精度Face up　・・・Face up精度±2μm(3σ; Local認識/R.T条件)
    ③ウェーハ/基板選択可能　・・・300mmウェーハ/□320mm基板への実装可能

                 *UHD FO-WLP=Ultra High Density Fan Out-Wafer Level Package

  • パネルレベルパッケージボンダ TFC-9300
    パネルレベルパッケージプロセスに適合した高精度/高生産性ボンダです。 スマートフォンを代表としたモバイル機器に用いられるFO-PLP分野において、多数の採用実績があります。また、サーバ向け2.XDパッケージ製品への対応も進めており、多様化するプロセスに適合する様々な機能を有しています。 「高生産性」、「高精度」、「プロセス適合性」によりお客様のPLP分野での生産に貢献します。...

    • ①大型基板対応　・・・最大630×650mm対応
    ②高生産性　・・・Dry UPH 10,000以上(4ヘッド構成)
    ③高精度　・・・Face down精度±3μm(3σ; Local認識/R.T条件)
    ④マルチダイプロセス対応　・・・ウェーハ&テープリール供給、オートツールチェンジ機能搭載

    　　　　 *FO-PLP=Fan Out-Panel Level Package

  • ハイブリッドボンダ TFC-6700/TFC-6800
    次世代最先端技術であるハイブリッド&フュージョンプロセスに適合した超高精度ボンダです。 チップレット、高機能メモリなどの次世代パッケージ分野において、当社は高い技術力と豊富な経験を有しております。業界最高峰の「超高精度」で最先端パッケージ製品の生産に貢献します。...

    • ①超高精度　・・・Face down精度±0.2μm(TFC-6700)/±0.1μm(TFC-6800)

    　　　　 (3σ; Local認識/R.T条件)

    ②高生産性　・・・Dry UPH 1,000以上(TFC-6700)/3,000以上(TFC-6800)
    ③Clean class1対応　・・・ハイブリッド&フュージョンプロセス適合

Categories

207 装置、プロセス
  • エッチング/ストリッッピング/アッシング-ドライ及びウェット装置
  • クリーニング/洗浄/基板乾燥装置/ファブプロセス
    • 307 材料、プロセス
  • フォトマスク、完成版またはパターン付
    • 308 材料、基板
  • プライム/研磨/鏡面ウェーハ
  • 化合物半導体（GaAs、GaN、InP、SiGe）
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