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【原研究室】
アンビエントエレクトロニクス・システムオンガラス・パッケージングにおけるガラスコアや光電融合などは、ガラス基板をキーワードにした半導体技術である。近い将来、システムの多様化・多機能化・高集積化とともに、ガラス基板上に高性能・高機能な薄膜トランジスタ（TFT）を形成し、高性能なディジタル回路・アナログ回路・センサ回路を実装することが必要になる。この技術は次世代半導体のゲームチェンジに繋がる革新的要素技術になりうる。更に、変形可能なプラスチック基板上に、同一半導体材料でCMOS回路を形成できれば、IoTやフレキシブルエレクトロニクスへの応用範囲が劇的に広がる。我々は、このような新しいステージの半導体デバイスを実現することを目標に、Ⅳ族系半導体を中心にTFTの研究を進めている。
本ブースでは、
・４端子縦型TFT
・Ⅳ族フレキシブルTFT
・CTFT
についてパネル展示・開発したTFTを展示する。
【遠藤研究室】
本研究室では、ZnOやGaN等の化合物半導体を利用したパワーデバイスやセンサの研究を行っている。
今回の出展では、岩手県工業技術センター勤務時に開発したZnO系ショットキーダイオードや高温用ZnO圧力センサをパネル展示する。
ガラス基板上のCTFT
縦型4端子薄膜トランジスタ
ZnOはMgと化合させることでバンドギャップの変調が可能なワイドバンドギャップ半導体で、我々はこれまで紫外線センサや放射線センサの開発を行ってきた。
本出展では、ファーストリカバリーダイオード等への応用を目的とし、ショットキー電極のエッジにフィールドプレート構造を適用することで高耐圧化したPt/MgxZn1-xO/ZnOショットキーダイオードを紹介する。
ZnOは鉛を含まない圧電材料で、圧電定数d33が高いため高感度化が期待できる。本出展では、ZnO単結晶基板を圧電素子として使用し、表面実装型パッケージに搭載した高温用ZnO圧力センサを紹介する。