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ジェイテクトサーモシステム

天理市嘉幡町,  奈良県 
Japan
https://thermos.jtekt.co.jp/
  • 小間番号W1163


AI向け先端半導体パッケージや実績豊富な量産用SiCパワー半導体熱処理装置、VCSEL、MEMS向け最新熱処理装置の紹介

AI半導体向けの先端パッケージ(2.xD、3D、FOPLP他)用熱処理装置も紹介します。

□510×515㎜、□600×600㎜基板に対応し、20ppm以下の低酸素濃度雰囲気処理が可能です。

また、抜群の生産性を誇るΦ8”対応SiCパワー半導体熱処理装置(活性化、酸窒化、コンタクトアニール)を紹介します。

その他、MEMS向けで膜応力制御が可能なLP-CVD成膜装置や、販売台数トップレベルの面発光レーザー(VCSEL)用酸化装置など幅広い分野の装置を紹介します。

是非ご来場ください。

また、当社では各種デモ機も保有しており、プロセステストにも対応していますので、お気軽にご相談ください。


 出展製品

  • 先端半導体パッケージ用 クリーンオーブン SO2-12L-F
    2.xD、3D、FO-PLP等の先端半導体パッケージ対応クリーンオーブン。当社独自のシール構造を採用し、低酸素濃度での処理を実現。 □310㎜用基板対応の新製品のクリーンオーブンです。...

  • 2.xD、3D、FO-PLP等の先端半導体パッケージ対応クリーンオーブン。当社独自のシール構造を採用し、低酸素濃度での処理を実現。
    □310㎜用基板対応の新製品のクリーンオーブンです。
  • SiCパワー半導体 コンタクトアニール RLA-4200-V
    メタル配線後のオーミックコンタクト用のランプアニールシステムでΦ200㎜ウェーハにも対応しています。 加熱処理室を2つに増やした2チャンバーを装置。1チャンバー型に比べて生産能力2倍にアップ。 1チャンバー装置を2台設置した場合より装置専有面積は17%削減。 搬送を見直し、従来装置よりスループットを向上させた装置です。サセプタ載せ替え機構を標準装備し、SMIFにも対応可能です。...

  • メタル配線後のオーミックコンタクト用のランプアニールシステムでΦ200㎜ウェーハにも対応しています。
    加熱処理室を2つに増やした2チャンバーを装置。1チャンバー型に比べて生産能力2倍にアップ。
    1チャンバー装置を2台設置した場合より装置専有面積は17%削減。
    搬送を見直し、従来装置よりスループットを向上させた装置です。サセプタ載せ替え機構を標準装備し、SMIFにも対応可能です。
  • SiCパワー半導体 活性化アニール VF-5300HLP
    イオン注入後の高温活性化アニール装置。 Φ200㎜、100枚処理に対応し抜群の生産性を誇っています。 ボート室をN2パージ雰囲気に保持した状態で、ボートを複数処理後に即座に処理待ちボートに入れ替える“ボート載せ替え機構”により移載時間が短縮。 搬送室はN2ロードロック、チャンバ内は真空パージ機構を装備しスループット向上に貢献しています。...

  • イオン注入後の高温活性化アニール装置。
    Φ200㎜、100枚処理に対応し抜群の生産性を誇っています。
    ボート室をN2パージ雰囲気に保持した状態で、ボートを複数処理後に即座に処理待ちボートに入れ替える“ボート載せ替え機構”により移載時間が短縮。 
    搬送室はN2ロードロック、チャンバ内は真空パージ機構を装備しスループット向上に貢献しています。
  • SiCパワー半導体 ゲート酸窒化 VF-5300H
    ゲート絶縁膜形成用NOアニール装置。Φ200㎜、100枚処理に対応。チャンバ内は独自のメタルフリー構造を採用しクリーニング頻度を大幅に削減。お客様の量産に応える高スループット縦型装置。...

  • ゲート絶縁膜形成用NOアニール装置。Φ200㎜、100枚処理に対応。チャンバ内は独自のメタルフリー構造を採用しクリーニング頻度を大幅に削減。お客様の量産に応える高スループット縦型装置。
  • VCSEL(面発光レーザー) WET酸化炉 VF-3000B
    VCSEL用酸化炉でベストセラーの縦型装置。低温で優れた温度制御性・再現性を有するLGOヒータを搭載、AlGaAs層の酸化狭窄構造(アパチャ)サイズの面内、バッチ内、バッチ間バラツキを低減している。...

  • VCSEL用酸化炉でベストセラーの縦型装置。低温で優れた温度制御性・再現性を有するLGOヒータを搭載、AlGaAs層の酸化狭窄構造(アパチャ)サイズの面内、バッチ内、バッチ間バラツキを低減している。