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BBS金明
白山市,
石川県
Japan
http://www.bbskinmei.co.jp
小間番号W3207
ホーム
出展製品
BBS金明では、
E-200 SiC SiC&GaN ウェーハ・エッジ研磨装置
独自開発のSiC&GaN ウェーハ・エッジ研磨技術 消耗品「Plhasma Diamond Head 」≪新製品≫
アドバンストパッケージングCMP装置「LS500」
Advanced Packaging CMP System - LS500
をご紹介致します。
皆様のご来場を心よりお待ち申し上げております。
出展製品
SiC & GaN専用 エッジポリッシュ装置 FINE SURFACE E-200 SiC
パワー半導体の救世主 SiCウェーハを水だけで研磨!...
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株式会社BBS金明は、SiC&GaNウェハーを水のみで研磨する独自技術を用いた製品を提供しております。
弊社の装置は、
半導体製造装置の前工程で使用される
「シリコンウェーハエッジ研磨機」において、世界トップシェアを誇ります(※1)。
CMP(Chemical Mechanical Polishing)技術(※2)を用いた独自の
加工方法が強みで、業界トップクラスの精度とスループットを実現。
世界中の半導体メーカーから高い評価を得ています。
1 当社調べ
2 ウェーハ表面を平坦化する技術です。
半導体製造工程において、微細化と高集積化に伴う平坦性要求の厳格化に対応するために、重要な役割を果たします。
Categories
200 装置、組み立て
裏面研削/スライシング/ラッピング/ポリッシング装置
202 装置、一般用途
カッテング/穴あけ/レーザー切断/面取り装置
207 装置、プロセス
クリーニング/洗浄/基板乾燥装置/ファブプロセス
化学機械研磨(CMP)/電気研磨/機械研磨装置
結晶成長および加工装置
304 材料、マスクの作成
マスク基板ブランクス;ガラス
306 太陽光発電材料
消耗品
307 材料、プロセス
CMP/グラインド/ラップ/研磨/研磨剤
308 材料、基板
SOI/SOS/シリコンカーバイド
プライム/研磨/鏡面ウェーハ
化合物半導体(GaAs、GaN、InP、SiGe)
太陽電池基板/結晶シリコン(c-Si)/薄膜
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