高速、そしてクラックレスな酸化膜成膜
MEMSや光導波路用途向けに、厚膜SiO₂を高速かつボイド・クラックなく成膜できます。
TSV構造に適した優れたステップカバレッジ
高アスペクト比・狭幅TSV構造に対しても、低温で高い被覆性を持つ酸化膜の成膜が可能です。
水素含有量の少ない高品質SiN膜
化合物半導体のパッシベーションに適した、緻密かつ低水素SiN膜を提供します。
MEMS膜構造に適した低応力SiN
超低ストレスかつ高い均一性を持つSiN膜は、MEMS膜応用にも最適です。
研究開発から量産まで対応するスケーラブルなプラットフォーム
真空ロードロック型・クラスター型構成に対応し、幅広い製造ニーズにお応えします。