大阪大学 東洋アルミニウム半導体共同研究講座

• 小間番号E6874

SiGeイノベーションへようこそ SiGe 材料・デバイス・製造技術を中心に、学術界と産業界をつなぐ架け橋

1. SiGe/Si 低コスト整流素子（Rectifier）

• スクリーン印刷＋大気中ワンステップ熱処理で形成

• 低VF・高速スイッチング（低Qrr）

• ライフタイムキラー不要のクリーンプロセス

• 6インチ対応で大面積・低コスト量産が可能

2. SiGe 液相エピタキシー技術（Al–Ge LPE）

• Al–Ge液相を利用した高速エピタキシャル成長

• 非真空・数分プロセスで高Ge濃度SiGe層を実現

• 欠陥密度が低く、III-Vデバイス基板としても期待

3. SiGe-on-Insulator（SiGeOI）基板技術

• SiGe層をSi(100)基板上へ直接接合

• バッファ層不要 → 低コスト・薄膜化が可能

• 光デバイス・高周波デバイス向け新基板

4. SiGe 導波路（Waveguide）への応用

• Si に比べ高屈折率 → 小型・高効率な光導波路が可能

• 光通信・センシング向けのプラットフォームとして注目

• 大面積形成によるフォトニクス量産基板の可能性

5. SiGe 高速デバイス（Diodes / Sensors）

• 高い電子移動度 → 高速応答性

• 5G/6G、赤外センシング、RF素子に適用可能

• 新しいSiGeデバイス設計に向けた材料プラットフォーム

6. SiGeSn / GeSn 拡張材料への展開

• Sn添加によるバンドギャップ制御

• 赤外フォトディテクタ・次世代光デバイスに有望

• 同じAl液相プロセスで形成可能な柔軟性

7. 研究 × 産業連携の実例紹介

• 産学協働によるプロセス開発・特許・論文成果

• 大面積ウェハでの技術実証

• 半導体企業との量産プロセス検討

 出展製品