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テクセンドフォトマスク

港区,  東京都 
Japan
  • 小間番号E6144

テクセンドフォトマスク株式会社は、凸版印刷株式会社(現TOPPANホールディングス株式会社)からの会社分割により設立された、半導体用フォトマスクの製造・販売会社です。東京に本社を構え、世界各地に広がる顧客サービスネットワークと、主要な地域にある9つの製造拠点を活用し、業界最先端の技術開発力で、外販フォトマスクのリーディングカンパニーとして半導体産業の発展に貢献しています。さらに、フォトマスク事業で培った高度な加工技術を応用し、ナノインプリントモールドなどの微細加工製品にも事業領域を拡大。次世代技術への対応力を強化し、革新的な製品とサービスの提供を通じて、グローバル市場での競争力を高めています。弊社のブースでは、EUVフォトマスクやシリコンナノインプリントモールド、石英ナノインプリントモールド、シリコン加工製品、ナノインプリント試作開発サポートを紹介します。


 出展製品

  • EUVフォトマスク
    フォトマスクは半導体製造で使われる回路原版で、高精度の石英のプレート上に回路パターンが描かれています。半導体の微細化が進む中、7nmノード以細の次世代露光技術として短波長13.5nmのEUV(Extreme UltraViolet)光が使用されています。EUVフォトマスクは、次世代の半導体デバイスの高性能化や微細化において、不可欠な部材となっています。...

  • EUVフォトマスクは、極端紫外線(EUV)露光技術で使用される特殊なフォトマスクです。このフォトマスクは、半導体製造プロセスにおいて微細な回路パターンをシリコンウェハに転写するために使用されます。従来のフォトマスクは主に193nm~365nmの露光波長を使用していますが、EUV光はより短波長の13.5nmの露光波長です。7nmノード以細からEUV光が適用されています。
    EUVフォトマスクは、以下の特徴を持ちます。
    マスク構造: EUVフォトマスクは、反射型マスクであり、反射率の高い金属層で構成されています。この金属層は、光を効果的に反射し、パターンを形成します。
    高解像度: EUV技術は、従来の光リソグラフィよりも短波長を使用するため、はるかに小さなパターンを描くことができ、回路の微細化を促進します。これにより、次世代の半導体デバイスの製造が可能になります。
    EUVフォトマスクは、次世代の半導体デバイスの高性能化や微細化において、不可欠な部材となっています。
  • シリコンナノインプリントモールド
    半導体フォトマスク技術を応用し、φ200mm(8-inch) 対応の高精度ナノインプリント用シリコンナノインプリントモールドを開発・製造。AR/MR光学素子やメタサーフェスなど多様な用途に対応し、量産工程の効率化とコスト削減を支援します。...

  • 弊社埼玉・朝霞サイトで生産する φ200mm のラウンド型シリコンナノインプリントモールド。本技術は、EBリソグラフィを活用した超微細加工により、 φ200mm シリコンウェハ全面に複雑な3D構造の形成など、高精度なナノ構造を形成可能です。UVナノインプリント方式により、常温で高再現性のパターン転写が可能で、製造工程の簡素化と省エネルギー化を実現。用途はAR/MR光学素子、メタサーフェス、DOE、バイオチップ、DFBレーザーなど多岐にわたり、パターン形状のカスタマイズにも柔軟に対応します。モールドサイズはφ200mm、パターン領域はφ180mm(EE:10mm)で、量産に最適な仕様です。

  • 石英ナノインプリントモールド
    弊社ドイツ・ドレスデンサイトにて生産する6インチのスクエア型石英ナノインプリントモールド。高解像度パターンや多段構造を形成可能、かつ平坦性・安定性にも優れています。EUVフォトマスク製造にも対応する電子線描画技術を活用し、石英基板上に高精度なナノ構造を形成。マルチビーム描画と専用エッチングにより、複雑な3D形状や高アスペクト比構造のパターニングを可能にします。...

  • 半導体用フォトマスク材料に対して、最先端の電子線(EB)描画装置を用いてナノスケールの超高精細パターンを形成する高品質モールド。特にマルチビーム描画機により、数千〜数万本の電子ビームを同時照射することで、複雑な形状を高速かつ高精度に描画可能です。専用の3Dエッチング装置により、50〜350nmの深さや30°の傾斜構造など、多様な形状に対応。高アスペクト比構造やメタレンズなどの先端デバイス製造に最適です。
  • シリコン加工製品
    両面エッチング技術により、シャープな高矩形性を実現した微細な貫通孔を形成。 最小解像度700nmの高精度加工が可能で、X線・電子線マスクやMEMS製造など多様な用途に対応します。...

  • 本技術は、シリコンウェハ両面からのエッチングにより、角丸まりの少ないシャープな高矩形性 の貫通孔加工を実現します。最大 φ 200mm (8-inch)  の基板サイズに対応しています。最小解像度は700nmで、微細なパターン形成が可能です。用途はX線・電子線リソグラフィ用マスク、蒸着・成膜用シャドウマスク、MEMS/NEMSデバイス製造、研究開発向け高精細マスクなど多岐にわたります。高精度な微細加工技術で、先端分野のニーズにお応えします。
  • ナノインプリント試作開発サポート
    ナノインプリントの試作開発支援を行う事業を開始するにあたり、EVグループ製 完全統合型ナノインプリントリソグラフィ装置「HERCULES ® NIL200 」を導入しました。 モールド設計から試作やサンプル作製・生産までを一貫対応 し、AR/MR光学部材などの微細加工に対応。工程の簡略化とコスト削減を実現します。...

  • 2025年9月より、ナノインプリントの試作開発支援の開始に伴い、EVグループ製の完全統合型ナノインプリントリソグラフィ装置「HERCULES® NIL200」を導入いたしました。  φ100mm〜φ200mm の基板に対応し、モールド設計から、試作、少量生産までを国内で一貫対応。サンプル作製では実際の形状・性能確認の用途にもご活用いただけます。 フォトマスク製造と同等のクリーンルーム環境を整備し、高精度な微細加工を実現します。従来のフォトリソグラフィに比べて工程が簡略化され、コスト削減が可能。導光板やメタサーフェスなどの次世代光学デバイスの量産にも対応し、柔軟かつ迅速な製品化を支援します。