<見どころ紹介>
普段は光学業界での営業活動を行っているう弊社ですが、今回は弊社が扱う様々な非接触・非破壊検査装置を、半導体製造工程の様々なフェーズに沿ってご案内致します。
Siウェハやパッケージ後のIC欠陥検査といった分野に留まらず、ディスプレイ用フラットパネル表面のキズ検査や、磁気記憶装置の磁化傾向評価など、多岐にわたる製品ラインナップを一通りご紹介できますので、関連のお困りごとがありましたらお気軽にお立ち寄りください
<出品製品紹介> 太字斜体は弊社新規取り扱い製品
ヒステリシスループ検査装置、振動耐性レーザ干渉計、干渉計測方式3Dプロファイラ/粗さ計測器、共焦点クロマティックセンサ式3Dプロファイラ、近赤外OCT方式3Dプロファイラ/膜厚分布計測装置、中赤外OCT方式3Dプロファイラ/内部透過検査装置、光学超音波センサ/オプティカルマイクロフォン、レーザ音響内部欠陥検査装置、パッケージ後電子部品内部欠陥検査装置(超音波式)、全自動表面キズ検査装置/スクラッチディグ検査装置(光学規格に準拠)、高速表面キズ検査カスタマイズ装置/ディスプレイ用フラットパネル高速検査装置、アクティブサーモグラフィ、高精度光学ズーム式冷却サーモグラフィ、近赤外エリプソメータ/ウェハ膜厚検査装置、広帯域赤外分光屈折率装置(材料温度調整機能つき)
(概要欄に記載以外の)特徴
・デジタルバックグラウンド減算で、地磁気を含む周囲の磁場をキャンセルしながら計測可能
・ウェハを移動させずにRおよびφRをプロービング可能
・複数のヒステリシスループをデジタル化して表示/保存
・SEMIやCEの安全基準に準拠し、GEM/SECSサポートにも対応
評価可能パラメータ
・磁束密度(Br、Bs) ・磁気抵抗(R、φR) ・保磁力(Hc、He、Hk)、磁気抵抗効果(MagnetoResistance) ・スキュー(Skew)など
特徴
半導体ウェハ、セラミック、プラスチックモールドなど、中赤外領域で透明な素材の内部を透過しつつ3Dプロファイルを行うことが出来るため、内部欠陥の発見や内部構造把握に適しています。
波長の長い中赤外を用いることで散乱されにくいため、可視光や近赤のOCTでは数μm～数百μmのごく表層しかプロファイリングできない技術と異なり、最大10mm程度までの深層の構造を解析することも可能です。
高感度の光学超音波センサを用いることで高速性を実現した装置で、秒間10,000点の評価、あるいは秒間1,000個のICチップなどの評価検査が出来る、半導体製造工程の最終段階で歩留まり管理に最適なデバイスです。
・全モデル共通
全ての評価対象のキズを漏れなくマッピング、インライン検査として採用することも可能です
・高速特化モデル、パターン1
1m x 1mのフラットパネル上(片面)の最小5μmのキズを約40秒で検査完了！
・高速特化モデル、パターン2
φ200mmウェハ両面の最小1.5μmのキズを、約180秒で検査完了！
・対応可能性
"高速"および"カスタマイズ"を活用して、コーティングプロセス中にキズだけでなく異物挟み込みなども検出するモニタリング装置としての特化も対応可能です
測定精度、再現性
・厚み：精度+/-1%、再現性+/-2.5Å
・屈折率N：精度+/-0.01、再現性+/-0.005 どちらも＠分光波長632.8nm
計測スポットサイズ
・最小85 x 190μm
対応ウェハサイズ
・最大300mm
測定スピード
・最大10秒/サンプル