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法政大学　イオンビーム工学研究所

小金井市緑町,  東京都 
Japan
http://www.hosei.ac.jp/nano/
  • 小間番号E6833

GaNパワーデバイス作製・評価で実績があります。また、高エネルギーイオン注入やRBSによる分析等の共同研究も承ります。

超低オン抵抗、5kV以上の高耐圧と高破壊耐量のGaN自立基板上p-n接合ダイオードの技術情報展示。

イオン注入、RBS等のイオンビーム関連技術の展示。

Categories

203 装置、検査及び測定 / Inspection & Measurement Products
  • 顕微鏡：光学顕微鏡 / Microscopes: Optical Microscopes
  • 顕微鏡：原子間力顕微鏡（AFM) / Microscopes: Atomic Force Microscopes (AFM)
  • 顕微鏡：走査型電子顕微鏡（SEM)/集束イオンビーム/透過型電子顕微鏡（TEM) / Microscopes: SEM; Focused Ion Beam (FIB), TEM
    • 207 装置、プロセス / Process Equipment
  • イオン注入装置 / Ion Implantation Equipment
  • エッチング/ストリッッピング/アッシング-ドライ及びウェット装置 / Etching; Stripping; Ashing - Dry and Wet Equipment
  • リソグラフィ；露光/アライナ/直接描画装置/ステッパ/スキャナ/ナノインプリント / Lithography; Exposure; Aligners; Direct Write Systems; Steppers; Scanners; Nanoimprint
  • 熱プロセス-拡散/酸化/アニール/RTA/RTP装置 / Thermal Processing - Diffusion; Oxidation; Annealing; RTA; RTP Equipment
    • 208 装置、テスト / Test Equipment
  • 分析；回路/マニュアル/電子ビーム/光学/ウェーハプローバを含むプローブ装置 / Probing Equipment incl. Analytical; Circuit; Manual; E-Beam; Optical; Wafer Probers
    • 300 材料、組み立て / Packaging and Assembly Materials
  • パッケージ；セラミック及びその他の高温コンパウンド / Packages; Ceramic and Other High Temp Compounds
    • 308 材料、基板 / Substrates
  • 化合物半導体（GaAs、GaN、InP、SiGe） / Compound Semiconductor substrates (GaAs on Silicon; GaN; InP; SiGe, etc.)
    • 700 製造サービス / Manufacturing Services
  • イオン注入サービス / Ion Implant Service
    • 701 製造サービス、またはコンサルテング / Manufacturing Services or Consulting
  • CAD; CAM; CIM / CAD; CAM; CIM
  • ナノテクノロジーIP開発/研究 / Nanotechnology Intellectual Property Development; Research
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