華陽

鈴鹿市,  三重県 
Japan
https://kayou.co.jp/
  • 小間番号W3301


華陽株式会社へようこそ。技術と商流で速度・品質・信頼を提供し、皆さまの成長を支えるパートナーです。共創を目指します。

華陽はパワー半導体の先進材料、プロセス装置装置、消耗品などを取り扱う総合商社です。

SiCウエハ基板6インチ/8インチ/12インチをはじめ、エピタキシャル成膜装置や全自動洗浄装置などを販売しており、幅広い商材をタイムリーにごご提供させて頂きます。

SemiSiC社はグローバルトップ品質なSiC基盤・インゴットを生産、販売。

現在12インチ基盤を中心に注力しており、高い平坦性・TTV・BOW・エッジ品質を継続的に強化中。

GZSC社は優れた技術力とコストパフォーマンスを強みとして、世界シェア拡大中、開発~量産まで一貫としてトータル最適化を支援。

SiCenturyエピタキシャル成膜装置は中国唯一垂直ホットウォール×デュアルチャンバーに成功したメーカーです。厚み・濃度均一1%台、欠陥密度≦0.2/cm²を実現し、SEMI S2取得。

低COOと迅速なアフターで量産立上げを加速。
華陽は技術×商流で、お客様の開発スピードと品質・コスト・供給安定化を同時に前進させます。


Kayou showcases SemiSiC 6/8/12-inch SiC wafers, GZSC’s highly competitive wafer lineup, and SiCentury’s fully automatic vertical epitaxial system for SiC/GaN.

  • SemiSiC (6/8/12-inch): Outstanding wafer quality with low defectivity, tight uniformity, and high yield. 12-inch readiness is progressing, with reinforced flatness, TTV, BOW, and edge control for automotive and industrial power. Stable supply is a key focus.
  • GZSC: Strong cost-performance and short lead time, offering tailored resistivity/orientation/edge specs for MOSFET, SBD, and dummy applications—optimizing total cost from R&D to mass production.
  • SiCentury Epitaxy Tool: Vertical hot-wall, dual-chamber architecture delivering >1,200 wafers/month (record 1,400), ~1% thickness/doping uniformity, and defect density ≤0.2/cm². SEMI S2 certified, with low COO and responsive service to accelerate ramp.
    On site, we will discuss Japan-based inventory, inspection, and after-sales, evaluation samples, and rollout timelines—uniting technology + commerce to speed your roadmap with quality, cost, and supply stability.


 出展製品

  • SiCentury SiC/GaN向け全自動垂直式エピタキシャル装置
    SiCenturyはSiC/ GaN向け垂直ホットウォールCVDの技術に専念、エピ成膜技術をリーディングする企業です。SiCの6インチ/8インチでは中国トップシェアを誇り、全自動デュアルチャンバーで月産1200枚以上を保証、厚み/濃度均一性1%台、欠陥密度≦0.2/cm²を実現。迅速なアフターサービスと低COOで量産の立上げと製品品質、そして商品力を加速します。日本総代理の華陽が導入から運転・保守まで一気通貫でサポートいたします。...

  • SiCentury — SiC / GaN 垂直式エピタキシャル成膜装置の革新をリードする先端企業

    2020年に中国・蘇州工業園区で設立されたSiCenturyは、世界最先端の人材と独自の知的財産を有する次世代半導体製造装置メーカーです。
    「半導体産業におけるコア装置と中核技術の世界的プラットフォームを構築する」ことを使命に掲げ、グローバル視点で研究開発・量産・サービスを展開しています。

    当社の経営・技術陣は、ハイエンド半導体製造装置のR&Dおよび商業化で数十年の経験を持ち、蓄積された知見を基に革新的な装置を市場に提供しています。

    SiCenturyは、SiC・GaNなどのワイドバンドギャップ化合物半導体向けエピタキシャル成長装置の研究開発・製造・販売・サービスに専念し、世界中の顧客に量産用および先端研究用の最先端ソリューションを提供しています。

    今後は、さらなる半導体分野へ装置ラインアップを拡充する計画です。

    特筆すべきは、中国で初めて8インチおよび6インチ対応の垂直エアフローSiCエピタキシャル装置の量産販売を実現したメーカーであること。現在では十数社以上の主要企業が量産ラインで継続使用しています。

    製品概要
    SiC向け垂直式全自動エピタキシャル成膜装置

    • デュアルチャンバーで月産1200枚以上を実現。(量産実績1400枚/月)
    • 厚み/濃度均一性1%台、欠陥密度≦0.2/cm²の安定性。
    • SEMI S2取得、迅速なアフターサービスと低COOで量産の立上げ。
    • 世界各国へのグローバル対応、運転・保守まで一気通貫でサポート。

    Welcome to visit our SiC CVD vertical epitaxial equipment.

    Overview

    Founded in 2020 in Suzhou Industrial Park, SiCentury is a cutting-edge semiconductor manufacturing equipment provider with world-class talent and independent intellectual property rights. With a global vision, SiCentury is committed to establishing the world’s leading platform for key equipment and core technology in semiconductor industry. Our core management and technical experts boast decades of successful experience in R&D and commercialization of high-end semiconductor manufacturing equipment.
    SiCentury focuses on R&D, manufacturing, sales, and service of SiC/GaN and other compound semiconductor epitaxy equipment, providing global customers with world-class equipment and advanced technological solutions tailored for mass production and prospective research. Going forward, we plan to expand our portfolio to a wide range of semiconductor equipment.
    SiCentury was the first manufacturer in China to realize volume sales of 8” and 6” silicon carbide epitaxy equipment with vertical airflow, which has continued to be used by more than a dozen top industry customers for mass production.

    Product Overview
    Fully Automatic Vertical SiC Epitaxial Deposition System

    Achieves a monthly throughput of over 1,200 wafers with a dual-chamber design (mass-production record: 1,400 wafers/month).
    Delivers exceptional uniformity with thickness and doping concentration within 1%, and defect density ≤ 0.2 /cm², ensuring stable and reliable performance.
    Certified with SEMI S2, the system accelerates mass-production ramp-up through rapid after-sales service and low COO (Cost of Ownership).
    Supports customers worldwide, providing end-to-end assistance from system installation and operation to maintenance.

  • SEMISiC 6インチ/8インチ/12インチSiCウエーハ基盤
    会社概要 山西烁科晶体有限公司(SEMISiC)は、2009年の設立以来、炭化ケイ素(SiC)材料の研究開発に特化したハイテク企業です。 当社は化合物半導体業界に向けて、量産実績のある高品質なSiC製品とサービスを安定的に供給しています。 長年にわたるSiC研究および量産の経験をもとに、製品とサービスの供給能力を年々拡大しています。...

  • 会社概要

    山西烁科晶体有限公司(SEMISiC)は、2009年の設立以来、炭化ケイ素(SiC)材料の研究開発に特化したハイテク企業です。
    当社は化合物半導体業界に向けて、量産実績のある高品質なSiC製品とサービスを安定的に供給しています。
    長年にわたるSiC研究および量産の経験をもとに、製品とサービスの供給能力を年々拡大しています。

    製品・サービス

    4/6/8インチ N型およびHPSI SiC基板

    •8インチN型SiC基板:厚さ350 μmおよび500 μmに対応。
    •中国国内で初めて開発された8インチHPSI基板。

    4/6/8インチ N型およびHPSI SiCインゴット

    •高厚化により歩留まりを向上。
    •安定した生産性による信頼性の高い供給。

    Nドープおよび高純度SiC粉末

    •年間生産能力:10 トン。
    •超高純度Nドープ粉末(99.99995%)。

    ABOUT SEMISiC

    Shanxi Semisic Crystal Co. Ltd. (SEMISiC) is a high-tech enterprise focusing on the R&D of silicon carbide (SiC) materials since 2009. We provide the compound semiconductor industry with a reliable source of production-proven, high-quality SiC products and services. Drawing on decades of experience in SiC research and mass-production, we continue to grow our product and service capacity year by year.

    PRODUCTS & SERVICES

    4/6/8 inch N-type & HPSI SiC Substrate

    8-inch N-type SiC substrate flexible in 350 μm & 500 μm thickness.

    8-inch HPSI substrate first developed in China.

    4/6/8 inch N-type & HPSI SiC Ingot

    Higher thickness for a higher yield.

    Reliable productivity for a reliable supply.

    N-doped & High Purity SiC Powder

    Annual capacity: 10 tons.

    Ultra-high purity N-doped powder (99.99995%).

    公司简介

    山西烁科晶体有限公司(SEMISiC)成立于2009年,是一家专注于碳化硅(SiC)材料研发的高新技术企业。
    公司为化合物半导体产业提供经过量产验证的高品质SiC产品与服务,确保稳定可靠的供应。
    依托十余年的SiC研究与量产经验,公司持续扩大产品线与服务能力。

    产品与服务

    4/6/8英寸 N型与 HPSI 型 SiC 衬底

    •8英寸N型SiC衬底可提供350 μm与500 μm厚度规格。
    •中国首家成功开发8英寸HPSI衬底的企业。

    4/6/8英寸 N型与 HPSI 型 SiC 晶锭

    •更高厚度带来更高产率。
    •稳定的生产能力确保稳定供应。

    N掺杂与高纯SiC粉体

    •年产能:10吨。
    •超高纯N掺杂粉体(纯度99.99995%)。
  • GZSC 6インチ/8インチ/12インチSiCウエハ基盤
    南砂晶円 (GZSC) 南砂晶円株式会社は、2018年9月に設立されたシリコンカーバイド(SiC)材料の研究開発および製造に特化した技術志向型企業です。 当社は、世界のパワー半導体市場における次世代電子デバイスの要求に応えるため、高品質なSiC基板およびインゴットの供給に注力しています。 南砂晶円は、幅広い国際技術協力と継続的な品質向上を通じて、世界中のお客様に競争力の高いSiC製品を提供しています。...

  • 南砂晶円(Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.)

    GZSCは、2018年9月に設立されたシリコンカーバイド(SiC)材料の研究開発および製造に特化した技術志向型企業です。
    当社は、世界のパワー半導体市場における次世代電子デバイスの要求に応えるため、高品質なSiC基板およびインゴットの供給に注力しています。

    主要製品・技術特長:

    • 6/8/12インチSiCウエハ:マイクロパイプ密度0.1個/cm²以下の高品質基板。

    • 高純度半絶縁型(HPSI)8/12インチSiCウエハ:高周波・RF用途に最適。

    • 各種サイズのSiCインゴット:高結晶性と安定した品質を実現。

    南砂晶円は、幅広い国際技術協力と継続的な品質向上を通じて、世界中のお客様に競争力の高いSiC製品を提供しています。
     

    About GZSC (Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.)

    Founded in September 2018, GZSC Semiconductor Materials Co., Ltd. is a technology-driven enterprise specializing in the research, development, and production of silicon carbide (SiC) materials. The company is committed to delivering high-quality SiC substrates and ingots for the global power semiconductor industry, continuously advancing its technology to meet the growing needs of next-generation electronics.

    Main Products & Capabilities:

    • 6-inch, 8-inch, and 12-inch SiC substrates with micropipe densities below 0.1 cm⁻², ensuring superior quality and yield.

    • High-purity semi-insulating (HPSI) 8-inch and 12-inch SiC substrates for RF and high-frequency applications.

    • Various sizes of SiC ingots with excellent crystallinity and consistency.

    Through extensive global cooperation and continuous innovation, GZSC strives to provide world-class SiC materials and enhance the competitiveness of our customers in the global semiconductor market.
     

    南砂晶圆(Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.)

    南砂晶圆半导体技术有限公司成立于2018年9月,是一家专注于碳化硅(SiC)材料研发与制造的科技型企业。
    公司致力于为全球功率半导体产业提供高品质的SiC衬底与晶锭,持续推动下一代电子器件的发展与性能提升。

    主要产品与优势:

    • 6/8/12英寸高质量碳化硅衬底,微管密度低于0.1个/平方厘米,确保优异良率。

    • 高纯度半绝缘型(HPSI)8英寸与12英寸碳化硅衬底,满足高频与射频应用需求。

    • 多尺寸碳化硅晶锭,具备出色的结晶均匀性与稳定性。

    南砂晶圆秉持开放合作的理念,致力于全球范围内的技术协同与持续创新,不断输出高品质产品,为客户提供更强的市场竞争力。