電気通信大学 山口・宮下・海津研究室

調布市,  東京都 
Japan
  • 小間番号E6864

「半導体量子ナノ構造作製技術および薄膜マニピュレーション技術の研究開発」

本研究室では、GaAs基板上への高密度・高均一InAsSb系量子ドット成長、Si基板上への高密度・高均一InAsSb系量子ナノワイヤー成長などの半導体量子ナノ構造の結晶成長技術ならびにIII-V半導体基板上へ結晶成長したエピタキシャル薄膜層を剥離して別の基板へマウントする薄膜マニピュレーション技術を開発し、高性能の半導体レーザやフレキシブルな多接合太陽電池など様々な光電子デバイスへの応用を展開しています。

展示内容

・GaAs基板上への高密度・高均一InAs量子ドットの結晶成長技術

・Si基板上への高密度・高均一InAs量子ナノワイヤーの結晶成長技術

・フレキシブル薄膜太陽電池の作製技術

・多接合太陽電池の動作解析