最先端の半導体を支える革新的な技術をご紹介します。
超極薄チップ実装技術
独自のレーザ転写技術により、厚み10µmの超極薄チップを高速・高精度に実装します。
低温プラズマCVDによる成膜技術
100℃以下の低温で熱酸化膜並みの電気特性を持つSiO₂膜が形成可能です。
さらにSiO₂/SiCNの積層構造により低応力化を実現し、デバイスへの負荷を軽減します。