GigaLane

Hwaseong-si, Gyeonggi-do, 
Korea (South)
http://www.gigalane.com
  • Booth: C260

Equipment BU of GIGALANE company has been developing competitive high technology plasma etching for semiconductor and MEMS applications since 2000 starting from RIE system. We developed LED PSS and GAN etcher which is now used for mass production. Over the past years, we fostered our product to go to the market abroad, consequently we have made distric but or ship and strategic engagement with foreign companies to be a global best company, moreover we are working on the new business field. We strive to further strengthen our position and desire to serve customers to the very best of our ability.

 Products

  • MAXIS480L
    LED Etcher 기가레인은 조명, BLU등 여러 분야에 사용되는 LED소자의 제조에 필요한 우수한 식각 장비를 공급하고 있으며 특히 LED용 PSS 식각 장비 시장을 주도하고 있다. 그리고 시장과 기술의 변화에 대응하여 Mini LED, Micro LED, Nano LED 제조에 필요한 식각 장비시장에서 선도적인 역할을 하고 있다....

    • 제품 세부 사항 :

    Overview

    •    Tray size: 380mm, 410mm, 430mm
    •    Substrate: Sapphire, GaN, GaAs.. etc
    •    Backbone: Standalone, Rectangular
    •    Available number of chamber: 1~2chambers
    •    Source coil center/edge current individual control
    •    FRC(Gas flow rate center/edge control)
    •    Dual chiller 
    •    Plasma shield door
    •    Advanced GUI and FA
    •    Option: OES(EPD), Power pulsing

    Performance

    •    Face-down Chamber(980LDR) : less particle free
    •    Downstream chamber(480LD): uniformity(<3%)
    •    GaN, GaAs profile control(45~88degree)

    Features

    • 대면적에 최적화된 Dual ICP Source(13.56MHz)
    • 대면적의 균일성을 확보하기 위한 Dual ICP Source로 Center와 Edge의 Currant 조절이 가능하여 최고의 균일성을 제공하고,   고밀도의 플라즈마를 형성하여 안정된 재현성과 생산성을 제공한다.
    • 공정 Gas의 Center와 Edge의 Ratio조절이 가능하다
    • FRC(Flow ratio controller)를 적용하여 Mix된 공정가스의 Center와 Edge간의 비율을 조절하여 균일성 확보에 유리하다
    • Face Down Chamber 제공가능
    • 세계 최초의 Face down 공정을 적용하여 Particle 제어 효과, 세정 주기 연장 등으로 최고의 생산수율을 확보
    • 다양한 TRAY 제공
    • 4인치, 6인치, 8인치의 Aluminum, SiC의 Batch type TRAY를 제공한다.
  • MAXIS200H
    ICP Etcher ICP는 가장 많이 사용되는 Plasma source로 Plasma density가 높고 Process margin이 넓어 폭넓게 사용되어 온 Etching 기술입니다. 기가레인은 우수한 ICP 기술을 바탕으로 실리콘 및 화합물 반도체를 비롯한 다양한 영역의 Etching능력을 보유하고 있습니다....

    • 제품 세부 사항 :

    Overview

    •    Wafer-size: 4~8inch(MAXIS200H), 12inch(MAXIS300T)
    •    Substrate: Si, SiC, LT/LN, Sapphire, GaN, GaAs.. etc
    •    Backbone: Standalone, Rectangular, Hexagonal
    •    Available number of chamber: 1~4chambers, Inline ash
    •    Source coil center/edge current individual control
    •    Plasma shield door    
    •    Back-He dual zone control
    •    Process parameter ramping   
    •    Advanced GUI and FA
    •    Option: Power pulsing, ESC or M-Chuck, OES(EPD)

    Performance

    •    GaN nano-rod(A/R: ~10) etching for nano/micro-LED
    •    GaAs(vertical and sloped profile) etching for VCSEL
    •    Piezo(LT, LN, AlN, ZnO) etching for SAW/BAW device
    •    SiC/Si vertical trench( ~3um) etching for power device
    •    SiC/GaAs back-via(~100um) etching for power device
    •    Si, SiO2, SiN, Al.. etc etching for semiconductor device

    Features

    • Plasma 안정성에 특화된 Dual ICP Source(13.56MHz)
    • 안정된 plasma의 형성으로 균일성과 재현성이 확보된 공정결과를 제공한다.
    • Wafer 사이즈, 재질에 따른 다양한 chuck 제공
    • 고저항 ESC, 저저항 ESC, 단극 ESC, 양극 ESC, Mechanical chuck
    • 특화된 기능 제공
    • 다양한 재질, 제품에 맞는 모양을 식각하기 위한 Recipe tuning 인자들의 Ramping(Up, Down)기능이 가능하다
    • 탁월한 선택비와 제품에 알맞은 모양을 식각하기 위한 강력한 Pulsing 기능을 제공한다.
    • 연구, 시 양산시 시간을 절약하기위한 공정 예약기능을 제공한다.
    • VDS와 Remote Plasma를 사용한 Ashing chamber와 조합구성이 가능
    • Metal 공정 후에 부식 방지를 위한 H2O Vapor기능이 가능하고, Photo resist의 제거공정이 가능하다.​
  • MAXIS200D/MAXIS300D
    DRIE Etcher DRIE는 4차 산업시대에 필요한 다양한 Sensor, Device 및 Advanced package를 만드는데 필요한 핵심 Etching 장치이며 높은 Etching 속도와 균일한 Etching 특성을 가지고 있어야 합니다. 기가레인의 DRIE Etcher는 MEMS, TSV, Si thinning 등 다양한 Si etching공정에 사용 중이며 빠른 식각속도, 우수한 식각 선택성과 균일성을 가지고 있다....

    • 제품 세부 사항 :

    Overview

    • Wafer-size: 4~12inch
    • Backbone: Standalone, Rectangular, Hexagonal
    • Available number of chamber: 1~4chambers, Inline ash
    • Source coil center/edge current individual control
    • Back-He dual zone control    
    • Plasma shield door
    • Power(bias) pulsing
    • High performance cycle process
    • Process parameter ramping   
    • Advanced GUI and FA
    • Option: ESC or M-Chuck, OES or SPOES(EPD)

    Performance

    •     Aspect Ratio, - 60:1
    •     Uniformity, ＜±5%
    •     Damage-free, HF/LF Dual Bias (HF Bias Optional)
    •     Surface Roughness: min. 3nm
    •     Undercut and notching-free
    •     Loading Effect Control

    Features

    •   High density Plasma용 Dual ICP Source(13.56MHz)
    •   고밀도의 플라즈마를 형성하고 안정된 균일성을 제공한다
    •   균일성 확보에 특화된 Exhaust vessel ring의 구조
    •   Exhaust vessel ring은 etch 될 open ratio에 따른 변화로 바뀌는 균일성을 좋게 할 수 있는 특화된 구조이다
    •   Fast Response MFC 사용
    •   Cycle Process에 최적인 MEMS구조의 MFC를 채택하여 보다 짧고 빠른 Cycle 이 가능하여 smooth sidewall을 얻는데 효과적이다.
    •   특화된 기능 제공
    •   다양한 구조를 식각하기 위한 Recipe tuning 인자들의 Ramping(Up, Down)기능이 가능하다
    •   탁월한 선택비와 제품에 알맞은 모양을 식각하기 위한 강력한 Pulsing 기능을 제공한다.
    •   연구, 시 양산시 시간을 절약하기위한 공정 예약기능을 제공한다.
  • ADF200
    CCP Etcher CCP(Capacitively Coupled Plasma)는 Dielectrics 식각에 최적화된 Plasma Source로 기가레인 CCP 식각 장비는 다양한 최신기술이 적용되어 높은 식각 선택성과 균일성이 확보된 고성능의 CCP 식각 장비이다....

    • 제품 세부 사항 :

    Overview

    •    Backbone: Standalone, Rectangular, Hexagonal
    •    Available number of chamber: 1~3chambers
    •    Gas flow rate center/edge individual control
    •    Back-He dual zone control
    •    Process parameter ramping function
    •    Plasma shield door
    •    ESC(Electrostatic Chuck) 
    •    Advanced GUI and FA
    •    Option: Power pulsing, OES(EPD)

    Performance

    •    HARC Aspect Ratio, - 30:1
    •    Dielectrics Etch Rate: >3000Å/min  (depends on customer process)
    •    Uniformity, ＜±5%

    Features

    • CCP Type의 장비로 안정적인 장비운용 가능
    • CCP Type Plasma Source로 입자간에 큰 에너지 보유(단단한 물질 식각에 유리)
    • 낮은 유지보수 비용 및 안정성, 양산성 우수
    • 공정 Gas의 Center와 Edge의 Ratio조절이 가능하다
    • FRC(Flow ratio controller)를 적용하여 Mix된 공정가스의 Center와 Edge간의 비율을 조절하여 균일성 확보에 유리하다
    • Dual He 구조
    • Center와 Edge의 Back He을 따로 control 할 수 있어 균일성 확보에 유리하다
    • 특화된 기능 제공
    • High aspect ratio의 구조를 만들기 위하여 Recipe tuning 인자들의 Ramping(Up, Down)기능이 가능하다
    • 탁월한 선택비와 제품에 알맞은 모양을 식각하기 위한 강력한 Pulsing 기능을 제공한다.
    • 연구, 시 양산시 시간을 절약하기위한 공정 예약기능을 제공한다.
  • CITUS6000FA
    IMPRINTER LED, OLED, LCD, BIO등 여러 분야에서 NANO PATTERN의 필요성이 증가하고 있습니다. 기가레인은 수년간 Imprinter 기술을 개발했으며 이를 더욱 첨단화하여 Master Mold부터 생산Mold의 제작 및 공정 wafer상 imprint 진행까지 전자동으로 수행 할 수 있는 제품 서비스를 제공하고 있습니다....

    • 제품 세부 사항 :

    Overview

    •    Vacuum assisted UV imprint(365nm)
    •    4inch-8inch, Nano to Micro Pattern   (PSS, nPSS, Nano-device, Micro-lens… etc)
    •    Flexible Resin Mold
    •    Coater in-line(6000R) or optional(6000SA)
    •    Inline gaseous release treatment(@Coater)

    Performance

    •    20㎚ pattern resolution
    •    Use of repeatable soft mold
    •    Lower CoC & CoO and very small footprint against Photo litho.(i-Line and KrF stepper)
    •    Comet-free
    •    Low edge damage

    Features

    • 자동화 장비 운용
    • 세계 최초 wafer scale full automated imprinting process wafer load/unload, coating, imprinting 공정 자동화
    • 자동화 구현을 통한 양산성 확보 : error 최소화 및 오염 최소화
    • Low CoC/CoO 구현
    • 반복 사용이 가능한 mold를 통한 CoC 절감
    • Stepper 대비 월등한 throughput으로 낮은 투자비용 및 유지비용 시현(CoO)
    • 진공 UV imprint 공정
    • 수십nm 급 초미세패턴부터 um 급 미세패턴 구현
    • hole, pillar, wall, trench 등 대부분의 패턴에서 air void 불량 방지 및 높은 패턴 복제율 확보
    • 3D lens, lenticular 등 일반적인 photo 공정으로 구현이 불가능한 패턴의 손쉬운 생산능력 보유
    • 다양한 기판의 적용성(glass, wafer, film)
    • 다양한 기판사이즈 적용성(4inch ~ 8inch)
    • 세계 최고 수준의 정밀한 잔막 제어 능력 : wafer scale 균일 잔막 구현 및 재현성 확보

Categories

204 Equipment, Mems
  • Deep RIE etching; Dry Etching
    • 207 Equipment, Process
  • Etching; Stripping; Ashing - Dry and Wet Equipment
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