Overview
ULTRARAM™是一款超高效的革命性量子驅動通用型電腦記憶體。
QuInAs Technology是英國蘭卡斯特大學
（Lancaster University）為了開發專利記憶體
技術ULTRARAM™所成立的衍生企業。該技術
成功結合通用型記憶體的各種屬性。英國創新
局（Innovate UK）旗下素享盛譽的前導加速器
「ICURe計畫（ICURe Programme）」致力協助研
究人員將技術商業化，Quinas Technology即是其
輔導對象之一。
規模達1,650億美元的記憶體市場，由動態隨機
存取記憶體（DRAM，市場規模1,000億美元）和
NAND快閃記憶體（NAND flash，650億美元）占主
導地位。快閃記憶體是非揮發性記憶體，斷電時能
保留資料，但速度較慢且讀寫循環耐用性較差。反
觀DRAM速度快且耐用性佳，但資料容易消失，必
須不斷重新整理（refresh）。數十年來，人們一直在
尋找一種具備前述所有優點、卻毫無上述缺點的
記憶體，也就是快速、非揮發性、耐用性高且超低
功耗的記憶體，亦稱為「通用型記憶體（universal
memory）」。
ULTRARAM™結合快閃記憶體的非揮發性，以及預
料能超越DRAM的性能。
這是一種以電荷為基礎的記憶體，其運作方式類
似於快閃記憶體。記憶體的邏輯狀態（0或1）由浮
動閘極(floating gate)是否存在電荷來決定，並透
過測量流經底層通道的電流來進行讀取。
ULTRARAM™的獨到之處，在於利用名為共振穿隧
（resonant tunnelling）的量子力學過程，控制裝
置的電子運動。
不同於以矽為基礎的DRAM和快閃記憶
體，ULTRARAM™使用三五族化合物半導體（III-V
compound semiconductors），讓記憶體的電特
性工程能充分利用物理原理，同時還能採用化合
物半導體和矽產業的既有製程進行批量製造。
包括銻化鎵（GaSb）、砷化銦（InAs）、銻化鋁
（AlSb）在內的的6.1埃系列半導體，被用於創建
類似快閃記憶體的浮動閘極記憶體。然而，不同於
快閃記憶體利用高電阻氧化物勢壘將電荷保留在
浮動閘極內，ULTRARAM™使用原子級的砷化銦／
銻化鋁薄層，創建三重勢壘共振穿隧(TBRT)電荷
限制結構。此機制賦予ULTRARAM™卓越的性能。
ULTRARAM™的保存期限逾1,000年；耐用度超越
107次（在未劣化情況下）；功耗率較DRAM低100
倍，較快閃記憶體低1,000倍（相等節點情況下）；
全速運作時，預料可較DRAM快10倍。
QuInAs Technology正尋求研發和製造方面的
合作機會和夥伴，尤其是測試晶片，以及小晶片
（chiplet）之類的標準／先進封裝技術專業半導
體製造夥伴。