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切割 SiC 晶圓有幾個課題。 首先，晶片的角落和周邊部分被破壞或碎裂的碎裂變大。 SiC等硬、脆、難切割材料在切割時容易產生較大的崩角。 此外，除了切割時的切口寬度變大之外，與切削晶片的寬度相對應的道寬也趨向於增加至80μm至100μm。 換句話說，晶片被浪費（切口損失），其量與切口寬度和通道寬度的量有關。 硬質碳化矽晶圓也難以高速切割。 Si 晶圓的平均切割速度為 100 至 200 毫米/秒，但 SiC 晶圓需降至 3 至 10 毫米/秒。 此外，由於流水切割的濕式製程很常見，每分鐘切割一個晶圓需要使用6至7公升水。 對環境的影響也不低。 “如果使用 SnB，就能一次性解決這些問題” 崩缺可改善到「幾乎沒有」的水平。 “Scribe 只在晶圓上進行切割，因此幾乎不會出現碎裂或破裂。” 街道寬度為30μm，不到劃片寬度的一半，幾乎沒有切縫損失。 切割速度也顯著提高。 SnB的切割速度為100至300毫米/秒，這表示切割速度可比劃片的3至10毫米/秒快100倍。 這將大大提高SiC功率元件的生產率。 與切割相比的另一個主要優點是它是一種不使用水的乾式切割工藝。 「我們的許多客戶對改善切口損失和提高生產率非常感興趣。SiC 晶圓非常昂貴，因此能夠從每個晶圓上獲得盡可能多的晶片非常重要。可加工的晶圓數量越大，功率元件的量產速度越快。 斷面也比傳統切割更光滑。... Learn More
Scribe&Break，如同字面上由兩個工法組成：「Scribe」和「Break」。 在「Scribe」中，使用稱為刀輪的圓形刀具在晶片表面上進行淺切割。 這就像用披薩刀切披薩一樣（但是，與披薩不同的是，它不會完全切開）。 這是為了產生分離時所需的裂紋，該切割線稱為ScribeLine。 然後，在「Break」過程中，將晶片翻轉並從劃線的正後方施加應力，導致晶片沿著劃線分離。 Scribe和Break是一種用於切割玻璃的方法，已有 90 多年的歷史。 但對於半導體領域來說，這是全新的事物。 這種在玻璃領域屬於「常識」的工法將極大地改變SiC晶圓的切割方式。... Learn More
MDI成立於1935年，總部位於大阪，是一家玻璃切割機製造商。我們的優勢在於能夠提出適合材料的加工方法，包括異形加工和開孔等高難度工藝。我們從事加工工具和設備的開發/製造。在液晶面板領域擁有高市佔，供應約6000台設備，主要是液晶面板切割設備。 MDI自成立以來，一直以不斷磨練的“切斷技術”進入半導體市場。第一個目標是SiC晶圓的切割工藝。使用本公司開發的「Scribe and Break」 的話，切割速度可以比傳統方法快 100 倍。代表董事若林真幸強調：「這是一種與傳統切割完全不同的切割方法。本公司將以Scribe&劈裂，展開「SnB」品牌工藝。 ... Learn More
SiC（碳化矽）功率器件越來越多地用於太陽能系統的功率調節器和電動汽車 （EV） 的逆變器。SiC是一種具有優異半導體性能的材料，擊穿場強是Si（矽）的10倍，帶隙是Si的3倍。當SiC用於功率器件時，與傳統的Si功率器件相比，它可以實現更高的耐壓性和更低的損耗，這正在加速其開發和採用。根據法國市場研究公司 Yole Group 於 2023 年 9 月發布的預測，預計從 2022 年到 2028 年，SiC 功率器件市場將繼續以 31% 的複合年增長率 （CAGR） 增長。 碳化矽功率器件有望穩步增長，但也存在挑戰。主要挑戰之一是碳化矽非常堅硬。新的莫氏硬度標度表示工業中使用的主要材料的硬度，碳化矽的硬度為13，僅次於鑽石（最硬的15）和碳化硼（第二硬的14）。換句話說，由於碳化矽晶圓的硬度，切割晶圓需要相當長的時間。更長的處理時間也會導致 SiC 功率器件的成本更高。若此過程可以更快地完成，生產速度就會提高，成本就會降低。 MDI目前正在嘗試改革切割工藝。 ... Learn More
比起傳統切割，速度差距快要100 倍 SiC（碳化矽）正在被開發為下一代功率器件的材料。雖然它作為半導體具有優異的特性，但它非常堅硬，使得SiC晶圓在切割的過程非常耗時。三星鑽石工業公司（Samsung Diamond Industrial Co.）是半導體行業的新進入者，推出了一種名為“Scribe & Break”的切割方法，該方法與傳統方法完全不同。本公司的技術經過多年的玻璃和LCD面板切割磨練，切割SiC晶圓的速度據說比傳統方法快100倍。 ... Learn More
Quickly and easily Socket your 0.8mm pitch 14x14 array, BGA196 packages on any application board with performance equivalent to direct solder version using high speed and low inductance elastomer that operates from -55C to +160C. ... Learn More
Shortest spring pin, 1.65mm compressed height, provides highest electrical bandwidth 60GHz with lowest inductance of 0.3nH along with 2A continuous current carrying capacity. Clamshell lid with compression screw allows gradual pressure to BGA with easy chip replacement functionality. ... Learn More
Quickly and easily socket your optoelectronic module (BGA64, 0.45mm pitch, 7.7x10mm size) and verify the performance equivalent to direct solder version using a high performance spring pin with low inductance of 0.17nH that operates from -40C to +120C. ... Learn More
Shortest spring pin, 1mm compressed height, provides highest electrical bandwidth 60GHz with lowest inductance of 0.17nH along with 2A continuous current carrying capacity. Quarter turn spring loaded lid allows gradual pressure to CSP with easy chip replacement functionality. ... Learn More
High performance and low inductance gold plated embedded wire in elastomer as interconnect material between device and PCB operates 30GHz at -1dB insertion loss, 0.15nH self-inductance, 0.01pF capacitance with 2A current capacity. Simple swivel lid socket structure enables industry’s smallest footprint. ... Learn More
來自日本的百年企業NITTA集團(ニッタ株式会社)將於SEMICON 2024展出! 空氣濾網製品與無塵室專用潔淨管件接頭製品。日本ニッタ株式会社的製品在日本跟台灣業界有響亮的聲譽，其生產的空氣過濾網與化學濾網以及潔淨管件接頭製品更為半導體設備商所承認採用。 空氣濾網採用獨特SPleatsTM構造玻纖濾網更在台灣無塵室業界更有著首屈一指的品質。今年ニッタ旗下的台灣霓塔自日本總社引進國際級高品質的化學過濾網，希望能為國內半導體界供獻一份心力。本次展出的產品當中，有以下獨特的化學濾網產品： 以獨特立體三次元泡棉構造所製成的”低壓損” ”低體積”型化學濾網GIGASORB，能靈活地應用在各種空間侷限的設備中。 以高品質離子交換過濾材及超低壓損、長壽命取勝的GIGAWAVE型化學濾網，能在各種高要求的環境下展現優異的性能。 配合高壓空氣系統使用的配管型化學濾網ENILSORB，能為各種高壓系統在空氣壓縮後提供完整的過濾保護，讓您的CDA系統升級成完整的PCDA系統。其中小型的型號更能應用在半導體設備中，提供產品完整的AMC保護。 除了以上的化濾產品之外，台灣霓塔同時會展出台灣業界長年第一的空調箱用高效濾網產品(HEPA)。除了高市佔的eSP V型之外，本次更展出超低壓損(170Pa)，使用壽命達2年的S1506超長效型，優異的CP值，不容錯過。 Learn More