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独創的なプラズマ生成構造による多様な半導体薄膜形成用プラズマプロセス装置を紹介します！
プラズマ生成源と薄膜形成空間を最適融合することにより、新たな薄膜形成環境を構成することができます。
圧力勾配現象を利用した高品質薄膜形成スパッタ装置や加熱蒸発粒子をプラズマ化させるプラズマクラッキング蒸発源、CCP型プラズマ源によるプラズマALD用イオンソース、高周波誘導式超高温加熱プロセス装置、それらの構造設計に必要なセラミック・SiC・石英など硬脆材料の精密加工製品を紹介します。
窒化物・酸化物・化合物薄膜などの高品質薄膜研究開発用スパッタ装置です。 圧力勾配式スパッタ法を採用し、従来スパッタ法に比べて膜質・ダメージ・成膜速度などの優れた特徴を得ることができます。
1～4インチに対応しています。
シャッター付 ガス導入ポート付き ICFフランジマウント構造
シャッター付き
プラズマガス導入ポート付き
規格ICFフランジ対応