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ＣＶＤプロセスの新技術をご紹介します。
半導体の高集積化に伴い、配線パターンがより微細化しています。
低温成膜で、微細TSVの側壁絶縁膜、パワーデバイスのゲート絶縁膜で使用可能。
独自のプラズマ源で、多くのデバイスに対し低ダメージ処理、低温処理で
対応致します。
PEGASUS（HDPｰCVD）は、先端デバイスに求められる低温処理で、高特性の膜質形成が可能な装置です。
低温処理では、困難な高絶縁、被覆均一性等の要求に対してハード設計とプロセスチューニングで対応します。
生産に重要な、タクト、異物管理も対応した装置を準備しています。