従来の成膜装置では製造プロセスの配管にヒーターを後付けすることが主流でしたが、今回開発したシステムは配管にヒーターを直接組み込むことによって熱伝導性を高め、機差による温度のバラつきを解消します。
これによりガス移送時における装置内で固化を防ぎ、ウエハーの歩留まり率の低減に期待されています。
またヒーターを配管に直接組み込むことに加え、特殊な断熱材を使用することにより、従来のヒーター装置よりも仕上がり外径を小さくすることに成功し省スペース化を実現しています。
特殊断熱材料はパーティクルの発生を最小限に抑えると同時に製品表面温度を95℃以下に抑えることで半導体製造プロセスにおけるコンタミネーションの低減や他部品への熱影響の低減に貢献します。
今回開発した半導体向けチューブヒーターは電源電圧を100V仕様にすることによって工場のみならずラボといった多岐にわたる場所での使用が可能です。