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アールデック

つくば市,  茨城県 
Japan
https://www.rdec.co.jp/
  • 小間番号5933


アールデックの真空技術とソフト開発力を結集した装置をご紹介させていただきます。ぜひ弊社ブースにお立ち寄りください。

アールデックは創業以来”つくば”の地で培った超高真空技術をベースに「ハード設計・開発」と「PLC/Labview によるソフト開発」を自社内で 行い、  開発・製造・販売の一貫体制でお客様のご要求に沿った装置をご提供しております。弊社ブースでは半導体研究開発/少量生産/品質検査向けのレシピ制御型自動蒸着装置、高感度昇温脱離ガス分析装置、小型脱ガス装置を展示しています。

また、米国k-Space社のウェハ反り/応力モニタ、室温から高温まで基板温度を測定できる正確で再現性の高いリアルタイム基板表面温度モニターなどを展示しています。                                                           

お客様の研究開発、品質向上、歩留改善に貢献できるソリューションをご提案させていただきます。弊社ブースへのご来場を心よりお待ち申し上げております。


 プレスリリース

  • 実績あるin-situ MOSの特許技術をベースとし、平行配列ビームスポット(例:4 x 3)を用い、半導体ウェハー、光学ミラー、レンズなど多種多様な研磨済み表面の反り・応力を2D及び3D描画します。

    対応サンプルサイズは50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, 300mmです。反り測定範囲は曲率半径2mから50kmです。オプションで膜厚のマッピング測定も可能です。真空加熱チャンバーとガス導入機構が付いたMOS Thermal Scan でプロセスガス雰囲気中での加熱時におけるウェハー反り量などが測定可能です。


 出展製品

  • 高感度昇温脱離ガス分析装置 HTDS-004 SEMI (プロトタイプ出展 2024年4月発売予定)
    超高真空下でサンプルを加熱昇温する際に脱離されるガスを四重極質量分析計でリアルタイム測定し定性・定量分析ができます。 半導体ウェハー、PCB 基板、電子部品からの脱離ガスを wtppm で分析可能で半導体材料開発、品質検査、不具合原因の解明などにご使用いただけます。...

  • 特徴

    ・試料サイズ:最大φ10mm x 30mm➡比較的大きな実サンプルも測定可能

    ・測定質量範囲:1~200 amu➡有機成分 CxHy も測定可能

    ・加熱温度:室温~1000℃

    ・分析室にはタンデムターボポンプを採用➡到達圧力<5E-8Pa,  高感度リアルタイム分析

    ・定量ソフトでwtppmが簡単に計算可能

    ・水素標準リークシステム内蔵により長期間安定した定量測定が可能

  • 成膜レシピ制御型自動蒸着装置 ADS-E86
    独自開発したソフトにより基板セット後は”ワンクリック”するだけで、全自動で多層膜蒸着が行える研究開発用の蒸着装置です。どなたでも安全で簡単に操作できます。...

  • 【特徴】

    ・高融点金属から半導体・酸化物まで蒸着が可能

    ・多層膜連続成膜制御

    ・高性能6連電子ビーム蒸着源

    ・リフトオフ蒸着に最適な基板冷却機構を装備(実測値:Al 蒸着時 基板表面温度50℃以下)

    ・成膜条件(レシピ)を選択して「START」ボタンをクリックするだけで真空排気から成膜完了まで自動制御

    ・基板サイズ:□10mm ~ φ8インチ

    ・高速真空排気 (L/L室:大気圧からE-3Paまで3分以内)

    【用途】

    ・リフトオフ蒸着による半導体デバイス、量子デバイス等の金属電極形成

    ・高融点金属や酸化物など異種材料を積層した新デバイスの研究開発

  • 高真空脱ガス装置【放出ガス管理型】ABP-L401-QM (プロトタイプ出展2024年4月発売予定)
    ・高真空環境下でワークを熱処理することで、ワークからの放出ガスを軽減させられます。 ・四重極質量分析計で測定される放出ガスでプロセス管理を行い、指定したガス種が設定値以上になると熱処理を自動停止します。 ・想定外の含有物質や人為的ミスなどで発生する異常な放出ガスによるワークへの汚染や装置炉内への汚染を防止できます。...

  • 【特徴】

    ・加熱方式:内熱式(赤外線ランプ)、加熱温度:150℃~550℃ (フラッシング:650℃)

    ・処理温度:±10℃以内 (ワーク温度)

    ・炉内有効寸法:300mm x 300mm x 300mm 3段ワークステージ耐荷重:各段20kg

    ・完全ドライ真空排気系 到達圧力<1E-5Pa, 処理中圧力<5E-4Pa

    ・ガス計測:四重極質量分析計 1~100 amu, 放出ガスプロセス管理:最大16ch, 質量1~100amuで経時測定

    【用途】

    ・真空用部品、半導体部品、光学部品などの性能/品質向上

  • ウェハー反り・応力 2D/3Dマッピング測定装置(製品名:MOS Ultra Scan)
    平行配列ビームスポットを用い、半導体ウェハ、光学ミラー、レンズなどの反り・応力を2D及び3D描画します。対応サンプルサイズは50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, 300mmです。反り測定範囲は曲率半径2mから50kmです。オプションで膜厚のマッピング測定も可能です。真空加熱チャンバーとガス導入機構が付いたMOS Thermal Scanでプロセスガス雰囲気中での加熱時におけるウェハーの反り量などが測定可能です。...

  • ・エタロンを使用した平行配列ビームスポット(特許)を作り各スポット間隔を測定

    ・反り、反り高さ、薄膜応力、反射率、膜厚(オプション)を2D/3Dマッピング

    ・対象:半導体ウェハ、光学ミラー、レンズ、ガラス基板等

    MOS Thermal Scan

    ・真空加熱チャンバーとガス導入機構によりプロセスガス雰囲気中での加熱時におけるウェハー反りなどが測定可能。

    ・加熱温度:ラインスキャン 1000℃、2D/3Dマッピング測定 600℃

  • ウェハキャリア検査システム (製品名:kSA Emissometer)
    反射率/放射率マッピング測定及びウェハポケット深さ測定により、MOCVDウェハキャリアの残留薄膜やSiCコーティングのクラック・破片を検出出来ます。残留薄膜やクラックは膜中への不純物や温度ムラの原因となりウェハの品質・歩留まりに影響を及ぼしますので、ウェハキャリア交換時期を明確に判断できることで生産効率が向上します。...

  • ・スタンドアロン型システムで、最大φ800mmまでのサイズに対応します。

    ・ウェハキャリア上のクラックや残留膜の有無を放射率マッピング測定にて簡単に行えます。残留薄膜やクラックは膜中への不純物や温度ムラの原因となりウェハの品質・歩留まりに影響を及ぼしますので、ウェハキャリア交換時期を明確に 判断できることで生産効率が向上します。また。ウェハキャリアにクラックが発生した状態で使用すると、SiCコー ティング下のカーボンが成膜の品質に影響を及ぼすだけでなく、ウェハキャリア自体が成膜  プロセス中又はアニール処理中に粉々に破損しかねません。

    ・ウェハキャリア入荷時のポケットのザグリ具合の均一性チェックが行えます(ウェハキャリアの品質検査)。

    ・オプションのUVフォトルミネッセンス測定にてウェハやウェハキャリア上のダストや他の異物の検出が出来ます。

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