CMP加工・接合加工を中心に、各種電子デバイスの試作・開発・量産に対して一貫した受託加工サービスを提供しているD-processは東京都北区に移転後、積極的な投資とプロセス拡充を進めております。
昨年発表したBeyond CMPプロセスとしてのイオントリミングによる超高平坦化加工プロセスの量産適用や、従来のCMP・接合技術のブラッシュアップ、次世代デバイスに対する試作から量産まで、お客様からのあらゆるご要求に対応できる体制を構築しています。
●D-process対応プロセス
・各種ウェハの調達
・各種成膜方式による絶縁層形成（SiO2、CVD、TEOS等）
・マスク作製・パターンニング（ウェットエッチング/ドライエッチング等）
・バリアメタル形成（Ta、TaN、Ti、TiN、Cr等）
・スパッタ・蒸着・無電解めっきによるシード層形成からCu、Au、Niなど、めっき処理
・CMP受託加工による平坦化加工
・CMPウェーハ前処理を実施した上でのウェハ接合受託加工（常温接合・プラズマ活性化接合・拡散接合・共晶 接合・樹脂接合・テンポラリーボンディング/ディボンディング）
・テラス加工・トリミング加工等のエッジ処理
・裏面研削・CMPによる薄片化
・イオントリミングによる超高平坦化加工
・ダイシングによる小片化
・AFM、段差計、膜厚計、厚み、超音波顕微鏡（C-SAM）、IR、コンフォーカル顕微鏡、パーティクルカウンタ 等各種測定器による品質保証
LSIの製造工程の一つとして培われてきたCMPプロセスですが、近年では他分野でも多岐にわたり応用されはじめてきました。
CMPプロセスは元来、半導体製造におけるリソグラフィプロセスにおいて焦点深度をあわせるため、または埋め込み配線の平坦化に適用されてきました。一方、MEMSやパワーデバイスを中心とした分野でも（常温接合を含む接合前処理を中心とした）CMPプロセスが適用されはじめてきました。 D-processのCMP受託加工では、そのような応用分野における試作・開発～量産を可能としております。LSIやMEMSやパワーデバイス、通信系デバイス、光学系デバイスの枠にとらわれず、平坦化が要求される材料やアプリケーションに対してもプラナリゼーションをお約束致します。
一方、接合受託加工においても、最先端の接合装置を導入し、あらゆるアプリケーションに対応可能です。
ますます注目されるパワーデバイス、Micro-LED用基板、通信系デバイスやオプティカルデバイス用途に対して、CMPから常温接合、プラズマ活性化接合、拡散接合、共晶接合、樹脂接合によるテンポラリーボンディング/ディボンディング（TB/DB）に対応、薄片化と超高平坦化加工の試作・開発〜生産・量産対応が可能です。
またD-processで確立したプロセスをインストールしたCMP装置・接合装置を提供、お客様におけるライン立ち上げの最短化をお手伝いいたします。
D-processでは、CMPや接合受託加工のフロントランナーとして日々技術力向上に努めて参ります。