Loading...

プラズマ・サーモ・ジャパン

横浜市,  神奈川県 
Japan
https://premium.ipros.jp/plasmatherm/
  • 小間番号4135


世界中の人々の生活を向上させる半導体デバイス。私たちはハイパフォーマンスのプラズマ技術によってそれを支えております。

1974年に設立されたPlasma-Therm社は、高度なプラズマ処理装置の世界的なメーカーであり、ワイヤレス通信、パワーデバイス、MEMS、フォトニクス、先端パッケージング、メモリ・ストレージ、研究開発をはじめとする半導体市場にエッチング、成膜技術、熱処理、プラズマダイシング技術を提供しています。Plasma-Therm社の製品は世界中で採用され、高付加価値、信頼性、ワールドワイドなサポートで高い評価を得ています。また、北米、欧州、アジア太平洋地域に販売・サービス拠点を置き、グローバルかつ多様な顧客ニーズに対応しています。

さて、弊社の製品群は、2つのカテゴリーに分けられます。

1つは、大量量産向けに適した、クラスターツール。https://www.plasmatherm.com/

他方は、研究開発および少量量産向けに適した、ノン・クラスターツール。https://corial.plasmatherm.com/en

今回は、日本市場における初めての出展であり、大量量産機から少量量産機まで、ほぼ全ての装置をセミナー形式でご紹介する予定です。セミナーは弊社のブース会場で開催いたします。また、セミナーのスケジュールは、準備が整い次第公開いたします。

以下が各個別製品の概要とリンクとなります。是非、詳細情報をご確認頂き、ご注目製品のセミナー開催時間には、弊社ブースまでお越しください。

◆ クラスターツールラインアップ

  • VERSALINE® : ICP, DSE, RIE, PECVD, HDPCVD
  • LAPECVD™ : ラージエリアPECVD装置
  • Endeavor : PVD装置
  • Eclipse : PVD装置
  • TFE: バッチ式PVD装置
  • KOBUS FAST: 高速ALDライク成膜装置
  • Tegal : RIE装置
  • QuaZar™ : イオンビーム・エッチング・成膜装置
  • Heatpulse: ランプ・アニーリング装置
  • Mask Etcher: フォトマスク・エッチング装置
  • ODYSSEY HDRF : プラズマフォトレジスト(有機ポリマー)除去、ボッシュプロセス後のスムーズイング
  • Singulator™ : テープ式プラズマ・ダイシング装置

◆ ノン・クラスターツールラインアップ

  • Vision™ : RIE, PECVD (エントリーモデル)
  • Shuttleline: RIE, ICP, PECVD, ICP-CVD (スタンダードモデル)
  • Takachi: RIE, ICP, PECVD, ICP-CVD (ハイエンドモデル)
  • Kayen HDRF™: プラズマフォトレジスト(有機ポリマー)除去、ボッシュプロセス後のスムーズィング
  • PlasmaPOD: 卓上型エッチング・成膜装置


 プレスリリース

  • Plasma-Therm社、欧州での拠点拡大。パワーデバイス市場でのリーダーシップを強化。

    ST. PETERSBURG, FLA. September 19, 202-半導体・化合物半導体市場向けプラズマプロセス装置の大手サプライヤーであるプラズマ・サーモ(Plasma-Therm)は本日、2023年9月18日付でThin Film Equipment SrL(TFE)を買収したと発表した。ビナスコ(イタリア・ミラノ)を拠点とするTFE社は、半導体の研究開発・製造用スパッタリング装置のリーディングカンパニーであり、物理的気相成長法(PVD)としてのスパッタリング・真空蒸着装置や薄膜用高純度材料の専門メーカーとして知られています。

    「TFEの買収は、プラズマ・サーモの欧州における事業基盤を強化するものであり、当社の長期的な戦略的成長イニシアチブの極めて重要な一歩です。」と、プラズマ・サーモのアブドゥル・ラテフCEOは述べており。「また、MEMS、パワーデバイス、RFID、その他の半導体アプリケーションの要件を満たすように設計されたTFEのPVDツール群により、主としてパワーデバイス市場におけるプラズマ・サーモのポートフォリオを大幅に拡大することができます。」とコメントしております。

    TFEのPVD技術は、Plasma-Thermの既存のエッチング・成膜装置、及びプロセスソリューションを高度に補完し、半導体製造および研究開発市場の幅広い分野に対応する事が出来ます。TFEのPVD技術とパワーデバイス市場に関する専門知識が加わることで、Plasma-Thermの定評あるカスタマーサービスとカスタマーサポートがさらに強化されます。

    Yole Groupの「Power SiC 2022」レポートによると、パワー半導体市場は2027年までに63億ドルに達する。Plasma-Thermは、TFEと、インターコネクト、ビアフィリング、シリサイド、パッケージング(C4、ダイアタッチ)、その他の金属成膜向けMRC Eclipse製品ラインの買収により、さらなる成長をサポート致します。

    TFEのフランチェスコ・テレンツィアーニ最高経営責任者(CEO)は、次のようにコメントしている。「今回の買収により、当社の強みとプラズマ・サーモの強みを融合できることをうれしく思います。TFEは今後も単独で事業を継続しますが、プラズマ・サーモと緊密に協力し、プラズマとPVDプロセス技術における両社の強みを組み合わせることで、お客様により包括的な製品を提供していきます。今回の買収により、研究開発リソースとカスタマーサービス&サポートチームをグローバルに拡大し、大切なお客様にタイムリーなソリューションを提供できるようにいたします。」


 出展製品

  • 故障解析プラズマ・エッチング装置 Shuttleline 210IL
    半導体の故障解析には多様な IC の上層および金属間誘電体を除去し、これらの層の下部にある欠陥領域を露出させる技術が必要です。Shuttleline RIE, ICP-RIEは、電気的不良箇所に損傷を与えることがないように、メタル配線層を侵食しないデプロセッシングや金属をエッチングするデプロセッシング等を行うことが可能です。サンプルサイズとしては、最大 300mmウエーハから、パッケージダイ、ダイを処理することが出来ます。...

  • 故障解析、歩留まり向上、リバースエンジニアリングのためにICを準備するには、サンプルのデプロセスや裏面シリコンアクセスなどの技術が必要でです。これらの技術は、当社のプラズマエッチングツールを用いることによって、容易に実行することが可能です。

    半導体デバイスにおいて、より強力で、より小さく、より高速なデバイスを追求するためには、チップ設計と製造プロセスにおいて、より多くのメタル配線層が必要となります。

    デバイスの電気的完全性を維持しつつ、故障の根本原因をさらに調査するためには故障解析プロセスにおいて、表面を平面状態に保つ必要があるため、デプロセッシングは困難な作業になります。

    この困難を解決するための、当社のShuttleline RIE, ICP-RIEの技術的優位性を以下に記します。

    ■RIE・ICPのみならずホローカソード(HCD)が適用可能

    ホローカソードをプラズマ源として用いることによって、焦点化されたプラズマが得られ、プロセス条件によってはICPを上回るエッチングレートが達成されます。

    ■サンプルのオーバーエッジを防止するための最適化された高精度のエンドポイント検出機構

    高精度なレーザー干渉計測定を駆使し、シグナルの微小変化を迅速に検出することが可能です。例えば、SiNパッシベーションレイヤーを完全に除去し、メタル配線層にプラズマ損傷を与えることなく、表面を露出させることが可能です。

    ■独自のシャトルシステムによって、ダイ・パッケージダイ、Siウェーハまで幅広い基板サイズと形状に対応

    固有のベースプレートとクランプリングを使用することによって、ウェーハのみならず、ダイ、パッケージダイを独自のシャトルを用いて搬送することが可能です。また、上述のホローカソード用のシャトルも鋭意用意しております。

    また、当社は故障解析における10年以上の実績と、ワールドワイドな半導体デバイスメーカーに多くの納入実績を持っております。

  • KOBUS F.A.S.T (Fast Atomic Sequential Technology)
    従来のALD法(原子層堆積法)では、良好な膜質とコンフォーマルな成膜特性を得ることは可能でしたが、(PE)CVDと比較して約100倍のプロセス時間を要し、量産性を損なうという問題がありました。弊社の独自のコンフォーマル成膜技術である、KOBUS F.A.S.Tを用いることによって、Cu, TiN, SiO2成膜において、均一な膜質とコンフォーマリティを維持しながら、10倍以上のスループットの向上が達成されます。...

  • KOBUS F.A.S.T.®は、特許取得済みのシーケンシャルな前駆体及び反応性ガスのパルス導入を活用した新たな成膜技術です。また、独自のCVDリアクターの設計を行うことによって、高アスペクト比のフィーチャーに高い成膜速度と強化されたカバレッジ特性を兼ね備えた成膜技術を提供します。

    先ず、KOBUS F.A.S.T.®は、その高い成膜速度によってPEVCD法と同様の厚膜の成膜を可能とし、さらにALD法と同様の良好な膜質を維持したコンフォーマル成膜まで、新たなコンフォーマリティ・エンジニアリングを提供します。

    結言すれば、KOBUS F.A.S.T.® はPECVD成膜技術とALD成膜技術の交差点で、カスタマーサティスファクションに呼応した信頼性の高い成膜特性を実現します。

    以下に詳細技術を記します。

    ■コンフォーマルSiO2成膜技術

    ブレークダウンボルテージを維持した状態で、アスペクト比3.5:1のビアホールに約65%のコンフォーマリティを有した成膜が可能。

    ■コンフォーマルCu成膜技術

    電気伝導率を損なうことなく、アスペクト比10:1のビアホールに約95%のコンフォーマリティを有した成膜が可能。

    ■コンフォーマルTiN成膜技術

    電気抵抗率を維持した状態で、アスペクト比12:1のトレンチフィーチャーに約50%のコンフォーマリティを有した成膜が可能。

    さらに、低電気抵抗率を有したCo薄膜の成膜、並びに光学薄膜応用として、良好な透過率、屈折率、電気伝導度を兼ね備えたZnO系の透明導電膜(TCO)の成膜を可能とします。

    以上詳述したように、KOBUS F.A.S.T.®は、高アスペクト比コンフォーマル層及びコンフォーマリティ・エンジニアード層形成のための業界をリードするトータルソリューションを提供します。
  • HDRF™-プラズマベースのフォトレジスト除去・ウェハー表面処理システム
    HDRF® (High Density Radical Flux)は、従来のプラズマ源とは異なり、高エネルギーイオンの照射を伴わない、高密度ラジカルの流束を利用したプロセスです。高アスペクト構造の洗浄、膜破壊やスティクションの防止、超高感度材料の活性化などを可能にし、ダメージフリーのプロセスを提供します。HDRFのナノプラズマは、フォトレジストの剥離、DRIEプロセス後のボッシュポリマーの除去にも応用できます。 ...

  • HDRF™はプラズマベースのフォトレジスト除去・ウェハー表面処理システムです。従来のフォトレジストストリップシステムと比較して、HDRFシリーズは、特許取得済みのラジカル主体のプロセスを採用しています。低温で高濃度の反応性ラジカルの生成が可能なため、イオンによる物理的衝撃を回避し、非損傷性のケミカルプロセスを可能にしました。

  • ICP-CVD/ICP-RIEマルチシステム Shuttleline 210D
    ICP-CVD/ICP-RIEとして使用可能な誘導結合プラズマシステム。コンパクト設計で、ライナー交換のみで、成膜装置、又は、エッチング装置としてご使用頂けます。...

    1. 低温での ICP-CVD 可能で RIE, ICPエッチングとしても使用できる
    2. RFパワーレンジは、100 W ~ 2000 W
    3. リアクターのホットウオール機構は、効果的なプラズマ・クリーニングを可能とし、パーティクルの低減へ寄与
    4. ロードロック機構は、真空引き時間の短縮と、安定して再現性のある結果の可能に。
    5. ロードロック機構は、一つのチャンバーで、フッ素系プロセスと塩素系プロセスを可能とする。
    6. 交換可能なライナー機構とウエハ等のホルダー(シャトル)のコンセプトは、クロスコンタミネーションを防ぐ。
    7. 基盤温度 5°C up to 150°C (オプション  -50°C to 150°C)
  • TFE製バッチ式スパッタリング装置 BH3Fシリーズ
    BH3Fシリーズは、横型ダウンスパッタでバッチ処理タイプの装置です。 インライン型のスパッタ装置ですので、メンテナンス以外でターゲットを大気に触れる事がありません。 また、パレットに乗せ製膜を行うので、どのようなタイプの形状の基板でも簡単に配置できます。 同様に 異なる形状、異なるサイズの基板を同じプロセスで成膜することもできます。 ...

  • ハードウェアの特長

    完全な平行平板型のダウンスパッタ装置。

    高真空ロードロックによるスパッタの膜質の向上3,~5式のカソードを搭載可能。

    デュアルパレットインライン処理デザインによる高いスループットを実現。

    パレットは、様々なサブストレートの要求に応じることが可能です。

     例) 半導体ウェハ: φ2インチ x 36枚~ φ150mm x 4枚

    選択できるロードロック ドアの位置(装置の側面又は正面)。

    全てのターゲット下でシングルまたはマルチパス製膜が可能。

    ユーザーフレンドリーなソフトウェアによる完全自動ツールコントロール。

    完全自動又は、手動での基板ローディングが選択可能。

    様々なサイズや形状の基板に対応可能研究開発および生産に最適。

    スパッタリング中のスキャン速度を調整可能 (1-400 cpm) で、厳密な膜厚制御が可能。

    スパッタエッチング機能により、スパッタ膜の密着性を向上。

    310 x 310 mmの成膜エリア

    主なプロセス上の特長

    全てのカソード位置でDCマグネトロン、RFマグネトロン、RFダイオードの機能を使用する事が可能。

    全ての金属ターゲットをDCマグネトロンで製膜可能。

    RFマグネトロンで全ての絶縁ターゲット材を製膜可能。

    2つ又は3つのターゲット間でのコスパッタリングを行う事が可能。

    OLED用に高透過率、低抵抗率のITO膜を成膜可能。

    全ての磁性ターゲット(Ni、Fe系材料)を特殊なカソードで製膜可能。

    誘電体ターゲット材料の高い製膜速度を得る事が可能。

    スパッタリングチャンバー内に最大4~5個のカソードとエッチ、ヒートを設置可能。

    - DCMによる完全反応性成膜 SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、TiO2。

    - RFM 完全反応性および/または非反応性製膜。

    様々な用途の多層コーティングが可能:

    - 誘電体ミラーやフィルター用のSiO2とTiO2が20~30層。

    - 斬新で硬質な多層ナノコンポジット用の最大700層の金属交互層。

    その他にも、パルスDC電源、DC バイアス、デュアルカソード等の多様なオプションが設定されています。

    カソードの種類

    標準およびMagterial(磁性材料成膜用)の平面マグネトロンカソード

    RFモードで使用する平面ダイオードカソード

    Clamed Target

     特殊カソード: 4分割された棒状のターゲットでカソードにクランプし固定される。

             Target材料の断面形状から "CHI"、"UPSLON"、"MU"