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最先端の半導体製造装置を通じて、半導体産業と人類、社会の発展に貢献します。
■マルチ電子ビームマスク描画装置
・MBM™ -3000：2nm Node デザインルール対応
・MBM™ -2000PLUS：3nm+ Nodeデザインルール対応
・MBM™ -2000：3nm Node デザインルール対応
■電子ビームマスク描画装置
・EBM-9500PLUS：7nm+/5nm Nodeデザインルール対応
・EBM-9500：7nm Nodeデザインルール対応
・EBM-9000：10nm Nodeデザインルール対応
・EBM-8000P/H：16/14nm Node デザインルール対応
・EBM-8000P/M：45～20nm Nodeデザインルール対応
■マスク検査装置
・NPI-8000：10/7nm Node高生産性最先端マスク検査装置
・NPI-8000V：Up to 14nm Node高生産性最先端マスク検査装置
■エピタキシャル成長装置
・EPIREVO™ S8：8インチウェーハ対応枚葉式SiCエピタキシャル成長装置
・EPIREVO™ G8：枚葉式GaN on Si MOCVD装置
・加速電圧50 kV、電流密度 3.6 A/cm2、12nmビームによる高速描画と高解像度を両立
・SEMI P49 Multigon互換のMBF2.1データフォーマットによる曲線パターン描画の効率と精度を向上
・新型ブランキングアパーチャーアレイ（BAA)で50万本ビームを高速高精度で制御
・Die-to-Database, Die-to-Die検査モードを持つ10/7nm Nodeマスク対応検査装置
・60分(100mm角)の高速検査
・EUV用含めた多品種先端マスク検査で実績
・Litho Plane Check機能(オプション)、CD-Map
８“枚葉技術
・50μm/時の高速成長とロボットによるウェーハ高温搬送で高いスループットを実現
・パイロメーターを用いたウェーハ温度モニターによる、ウェーハ内外周の独立した温度管理
高性能
・膜厚均一性2％（σ）、ドーパント濃度均一性5%（σ）
・低ダウンフォール欠陥密度