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東京インスツルメンツ

江戸川区,  東京都 
Japan
https://www.tokyoinst.co.jp/
  • 小間番号1638


ご覧いただきありがとうございます、本展ではガス分析装置を展示いたします。

出展社概要

東京インスツルメンツについて

先端の分析機器を取り扱う技術商社です。自社開発の共焦点ラマン顕微システムをはじめ、多種多様な分析機器を取り揃えております。

オプトエレクトロニクス製品の開発、設計及び応用システムの製造販売
オプトエレクトロニクス製品、計測機器の輸出入と販売
研究開発

取り扱い製品について

本展におきましては、ガス分析装置を多数展示させていただきます。
pptレベルまで計測可能な微量ガス分析装置、半導体ウエハ分析X線光電子分光装置、カソードルミネッセンス顕微鏡を展示いたします。

どうぞお立ち寄りくださいませ。


 出展製品

  • 超低濃度ガス分析装置 HALO3シリーズ
    キャビティリングダウン分光法(CRDS)によりサンプルガス中の特定のガス分子の濃度をpptレベルの超高感度で測定するガス分析装置です。 従来のガス分子濃度測定法に比べ、標準ガスによる較正が不要で、精度・信頼性が高く、応答速度が早い等のメリットがあります。装置はワンボックス型で可搬性にも優れています。...

  • TigerOptics社のHALO3シリーズは、キャビティリングダウン分光法(CRDS)によりサンプルガス中の特定のガス分子の濃度をpptレベルの超高感度で測定するガス分析装置です。

    従来のガス分子濃度測定法に比べ、標準ガスによる較正が不要で、精度・信頼性が高く、応答速度が早い等のメリットがあります。装置はワンボックス型で可搬性にも優れています。

    特長

    • NIST準拠
    • 高速応答・高感度・高精度・高信頼性
    • 簡単操作・メンテナンスフリー
    • コンパクトなワンボックス型
    • サンプルガス中のH2O, CO, CO2, CH4, HFなどの微量な分子濃度を高感度測定
    • 広い測定濃度範囲(N2ガス中のH2O濃度:400ppt~20ppm, HALO KA H2O)
    • イーサネット・絶縁4mA~20mA出力・RS-232対応

    用途

    • 極微量ガス濃度の計測・管理
    • 半導体等製造工程中のガスモニタリング
    • 湿度計測・湿度標準の研究開発
  • 微量水分測定装置 Spark H2O
    キャビティリングダウン分光法(CRDS)によりサンプルガス中のH2O分子濃度の超高感度測定を行うガス分析装置です。 従来の露点計などの水分測定法に比べ、標準ガスによる較正が不要で、精度・信頼性が高く、応答速度が早い等のメリットがあります。装置はワンボックス型で可搬性にも優れています。...

  • TigerOptics社のSpark H2Oは、キャビティリングダウン分光法(CRDS)によりサンプルガス中のH2O分子濃度の超高感度測定を行うガス分析装置です。

    従来の露点計などの水分測定法に比べ、標準ガスによる較正が不要で、精度・信頼性が高く、応答速度が早い等のメリットがあります。装置はワンボックス型で可搬性にも優れています。

    用途

    • 極微量水分濃度の計測・管理
    • 半導体等製造工程中のガスモニタリング
    • 湿度計測・湿度標準の研究開発

    特長

    • NIST準拠
    • 高速応答・高感度・高精度・高信頼性
    • 簡単操作・メンテナンスフリー
    • コンパクトなワンボックス型
    • 水分濃度(露点)計測に特化したローコストモデル
    • 広い測定濃度範囲(N2ガス中のH2O濃度:15ppb~2000ppm)
    • イーサネット・絶縁4mA-20mA出力・RS-232対応
  • 低温・超高感度カソードルミネッセンス顕微鏡システム Allalin
    SEMとカソードルミネッセンス光学系を完全一体化した、世界唯一の低温・超高感度カソードルミネッセンス顕微鏡システムです。 面倒な光学調整が一切不要の独自光学設計で、DUV-NIRまでをカバー、歪のない広い観測視野、高速スペクトルマッピング、低温測定を実現。さらにストリークカメラと組み合わせて、ピコ秒時間分解測定も実現。  基礎研究・開発から品質管理など産業用途にまで対応する、これまでのCL-SEMの常識を覆す顕微鏡システムです。...

  • Attolight社の、SEMとカソードルミネッセンス光学系を完全一体化した、世界唯一の低温・超高感度カソードルミネッセンス顕微鏡システムです。
    面倒な光学調整が一切不要の独自光学設計で、DUV-NIRまでをカバー、歪のない広い観測視野、高速スペクトルマッピング、低温測定を実現。さらにストリークカメラと組み合わせて、ピコ秒時間分解測定も実現。
     基礎研究・開発から品質管理など産業用途にまで対応する、これまでのCL-SEMの常識を覆す顕微鏡システムです。

    特長

    • 電子レンズと高NA (0.71)光学対物レンズを一体化
    • SEM像と同一視野のCL像を観察
    • 面倒な鏡調整は一切不要
    • 超高感度・高速マッピング測定
    • 歪みのない広い観測視野:~ 300 μm
    • SEMとCLを統合的に操作・測定
    • 観測波長:180 nm ~ 1.6 um
    • 高精度6軸ステージ
    • 低温測定:10 K ~
    • パルス電子源によるピコ秒時間分解測定
    • フォトルミネッセンス(PL)測定

    用途

    • LED材料の評価
    • ワイドギャップ材料の評価(GaN, SiC, Ga2O3)
    • 太陽電池やパワーデバイスなどの開発、品質管理、故障解析
    • ナノスケール光デバイスの評価 (プラズモニクス)
    • キャリアの蛍光寿命やダイナミクス観察
    • EBIC像/CL像/SEM像の同時複合測定

    測定例

    ウェハー分析:6インチGaNウェハーの全面及び局所マッピングイメージ

    GaNウェハー全面の CL強度イメージ
    GaNウェハー全面の
    カソードルミネッセンス
    強度イメージ(362 nm)
    *測定時間:約15分
    各種局所イメージ
    各種局所イメージ
    ウェハー専用モデル外観
    ウェハー専用モデル外観

    欠陥評価:エピタキシャル層の欠陥計数

    CL強度イメージ(365 nm)
    カソードルミネッセンス強度イメージ(365 nm)

    GaNの貫通転位検出

    ・高速、非破壊
    ・自動計数 5E9 cm-2まで

    欠陥数: - 882
    貫通転位密度: - 3.1E8 cm-2

    欠陥評価:薄膜太陽電池のピンホール検出

    超高感度設計により、25x25 um領域の測定を約1分で実現

    CL強度イメージ
    カソードルミネッセンス強度イメージ
    (25x25um、256x256点、65秒)
    説明図
    ピンホール欠陥があるとその位置から青色光が発光

    Siテクノロジー:Siの点欠陥と線欠陥の同定

    InGaAs検出器の搭載により、近赤外領域の測定も可

    高品質SiのCLスペクトルと点欠陥の特徴

    ZnO NWsの時間分解カソードルミネッセンス測定

    パルスレーザーにより電子銃をパルス化することで時間分解測定を実現

    説明図
    時間分解CL測定図

    窒化ホウ素(BN)の時間/波長分解カソードルミネッセンスイメージ

    窒化ホウ素(BN)の時間/波長分解カソードルミネッセンス

    欠陥評価

    新チャネル材料(InPトレンチ)の欠陥検出

    欠陥評価グラフ

    Collaboration - IMEC, Unpublished results

    パワーデバイス 3C-SiC、4H-SiC

    パワーデバイス 3C-SiC、4H-SiC

    Collaboration – Anvil Semiconductors

    GaNテクノロジー

    GaNレイヤーのCL分析

    パワーデバイス 3C-SiC、4H-SiC
    パワーデバイス 3C-SiC、4H-SiC

    CL強度イメージ

    パワーデバイス 3C-SiC、4H-SiC

    SEMイメージ

    測定条件
    ・128 x 128 点
    ・10 ms/点
    ・加速電圧: 7 keV
    ・室温

    GaNテクノロジー

    各レイヤー毎の平均Al濃度分析

    各レイヤー毎の平均Al濃度分析

    CL強度イメージ

    各レイヤー毎の平均Al濃度分析

    SEMイメージ

    GaNテクノロジー

    AlGaNレイヤ-のCL分析

    AlGaNレイヤ-のCL分析
    各レイヤー毎の平均Al濃度分析

    CLスペクトル

    各レイヤー毎の平均Al濃度分析

    CLピークシフト分析に
    基づくAl比率の同定
    (精度:1% 以下)

    Collaboration - Fraunhofer IMWS
    Unpublished results, F. Altmann

    GaNテクノロジー

    AlGaNバッファーレイヤーの歪みマッピング

    AlGaNバッファーレイヤーの歪みマッピング

    故障解析

    InGaN/GaN グリーンレーザーダイオード

    レーザー(新)の平均CLスペクトル


    CLのピーク波長イメージ

    ‘Nanoscale Investigation of Degradation and
    Wavelength Fluctuations in InGaN-based
    Green Laser Diodes’
    IEEE Transactions on
    Nanotechnologies 15, 274 (2016)

    CLのFWHMイメージ

    Collaboration - Univ. Padova & Cagliari
    Profs. M. Meneghini, G. Meneghesso, M. Venzi & E. Zanoni

    故障解析

    CIGS太陽電池の組成変動分析

    各レイヤー毎の平均Al濃度分析
    CLのピーク波長イメージ

    CLのピーク波長イメージ

    CLのFWHMイメージ

    CLのFWHMイメージ

    CLのピーク波長イメージ
    CLのFWHMイメージ

    平均CLスペクトル

    Collaboration - Empa (Switzerland) B. Bissig

    ナノフォトニクス

    歪みに起因するバンドギャップシフト (GaN/AlGaN core-shell NWs)

    CLのピーク波長イメージ
    CLのFWHMイメージ

    GaN coreのCLスペクトル

    AlGaN shellによって誘起されたGaNコアへの圧縮歪みをCLスペクトルで観察

    ・点1 - 歪み無しGaN
    ・点2 & 3 - 歪みGaN
    → CLスペクトルが紫外側へシフト

    ‘Strain-Induced Band Gap Engineering in Selectively Grown GaN–
    (Al,Ga)N Core–Shell Nanowire Heterostructures'
    Nano Lett. 16, 7098–7106 (2016)
    Collaboration - EPFL
    A. Fontcuberta i Morral

    ナノフォトニクス

    局所状態密度イメージングInGaN/GaNマイクロディスクのWhispering gallery modes (WGM)

    CLのピーク波長イメージ

    ‘Effect of Threading Dislocations on the Quality Factor
    of InGaN/GaN Microdisk Cavities’
    ACS Photonics 2, 137-143 (2015)

    CLのFWHMイメージ

    Collaboration - Univ. Cambridge - T. Zhu & R. Oliver

  • Enviro METROSシリーズ
    これまでのX線光電子分光装置の常識を打ち破る画期的な製品です。 圧力環境を超高真空から準大気圧(オプション)まで変化させることにより、これまでは不可能であった生体サンプルや固液、気固界面でのオペランド計測が可能となります。また、準大気圧環境で使用可能なUPS光源やIRRAS、SEMなどのバラエティ豊かなオプションにより、様々な測定をこの1台で行うことが可能です。...

    • ・Enviro METROS LAB:サンプルサイズ最大80×80mm対応
    • ・Enviro METROS FAB:8インチ、12インチウェハ対応

    "Envio METROS"は、これまでのX線光電子分光装置の常識を打ち破る画期的な製品です。
    圧力環境を超高真空から準大気圧(オプション)まで変化させることにより、これまでは不可能であった生体サンプルや固液、気固界面でのオペランド計測が可能となります。また、準大気圧環境で使用可能なUPS光源やIRRAS、SEMなどのバラエティ豊かなオプションにより、様々な測定をこの1台で行うことが可能です。

    特長

    • 幅広い圧力範囲:UHV~NAP(5000 Pa)まで対応
    • サンプル搬送から測定まで全自動
    • マルチカラーX線源(Al, Ag, Cr)
    • 取込角:±30°
    • 深さ分析
    • 8、12インチウエハをそのまま測定
    • 豊富なオプション (Raman、IRRAS、SEM、IPES)
    • ユーザーフレンドリーな専用ソフトウェア