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法政大学 イオンビーム工学研究所

小金井市緑町,  東京都 
Japan
http://www.hosei.ac.jp/nano/
  • 小間番号7865


GaNパワーデバイス作製・評価で実績があります。また、高エネルギーイオン注入やRBSによる分析等の共同研究も承ります。

超低オン抵抗、5kV以上の高耐圧と高破壊耐量のGaN自立基板上p-n接合ダイオードの技術情報展示。

イオン注入、RBS等のイオンビーム関連技術の展示。


 プレスリリース


 出展製品

  • 高耐圧GaN p-n接合ダイオード
    低オン抵抗・高耐圧を縦型GaN p-n接合ダイオードの開発に成功しました。...

  • 独自の3層ドリフト層、2段メサ構造、保護膜形成技術、超高濃度GeドープGaN基板の採用等により極めて低いオン抵抗と5kV以上の高耐圧を両立した縦型GaN p-n接合ダイオードの開発に成功し、環境省プロジェクトや国内数社との共同研究を進めてきました。