半導体デバイス製造プロセスにおけるシリコンウエハ表面温度の非接触測定技術を開発しました．
シリコンウエハ裏面より赤外レーザー光を照射すると、表面と裏面で多重反射した光束の位相合成により反射率が決定されます。シリコンの屈折率は温度依存性を持つため、温度変化により干渉条件が変化し、反射率に振動が生じます．熱光学係数（Thermo Optic Coefficient : TOC = (dn_Si)⁄dT）を予め測定しておくことで、振動波形から温度情報を抽出することができます．
[使用例]
・真空チャンバ内で加熱または冷却されるシリコンウエハ表面温度の計測
・急速加熱プロセスにおけるウエハ表面温度の計測
・プラズマプロセス中のウエハ表面温度計測
・ウエット処理中のウエハ表面温度計測
など
✓シリコンウエハ以外にも、SiCウエハやガラス基板など、様々な材料に適用可能です
✓デバイスの自己発熱温度の計測にも適用可能です