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Wafer Works

Taoyuan,  Taoyuan 
Taiwan
http://www.waferworks.com
  • 小間番号W2979


顧客本位の半導体材料 サプライヤーを目指して

ウェーハワークス（Wafer Works Corporation）は1997年に設立されました。創業メンバーは米国シリコンバレーおよび台湾の半導体業界出身で、全員が半導体分野において豊富な経験と専門知識を有し、その経験を礎に、ウェーハワークスは世界トップ10に入る半導体ウェーハ材料サプライヤーへと成長を遂げました。主力製品は、半導体デバイスに広く使用されているポリッシュドシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハです。当社の経営陣は、シリコンウェーハの製造分野において深い知見と実績を有しており、研究開発にも積極的に取り組んでいます。今後も世界中のお客様に対し、高品質な製品と優れたサービスの提供を通じて、さらなる価値を創出してまいります。

 プレスリリース

  • (20251125)
  • (20251125)
  • (20251125)

 出展製品

  • ポリッシュドウェーハ
    ウェーハワークスは、さまざまな分野に対応する豊富な製品ラインナップを提供しています。集積回路（IC）やディスクリート部品に不可欠な、軽ドープおよび高ドープのウェーハを取り揃えており、ボロン（B）、リン（P）、ヒ素（As）、アンチモン（Sb）などの各種ドーピング製品に加え、特定用途に合わせた複合ドーピング品（共ドープ製品）もご用意しています。主な分類（以下は8インチを基準とした例）は下記の通りです。製品に関する詳細は、お気軽にお問い合わせください。...

    • https://www.waferworks.com/jp/polished-silicon-wafers

  • SOIウェーハ
    当社が製造するSOIウェーハは、MEMS（微小電気機械システム）、パワー半導体、およびシリコンフォトニクスなどの用途に広く利用されています。 独自の技術開発を通じて、顧客と密に連携しながら半導体材料の設計と統合を行い、包括的かつ高度にカスタマイズされたソリューションを提供しています。...

    • AdSOI

    • •Bonding
    • •Thermal Oxide
    • •DSP / CMP
    • •Trimming
    • •TMAH etch

    Power-SOI
    • •Layer transfer
    • •Cleavage
    • Surface smoothing

    RF-SOI

    • •Trap-rich layer
    • •Low temp. bonding
    • •High res. substrate

    FD-SOI

    • 12” wafering
  • GaNエピタキシャル
    ウェーハワークスは、カスタマイズ可能かつ高品質なGaNエピタキシャルウェーハをお客様に提供しています。当社は、GaNエピタキシャル成長技術に関するコアノウハウを有しており、シリコン基板の条件を調整することで、熱ストレスや欠陥を最小限に抑えた最適なGaNエピ層品質を実現できます。GaNエピタキシャルは、シリコン基板のほか、SiC、SOI、QSTなどの先端基板にも成長が可能です。代表的なEモードGaNエピ構造...

    • 当社製品はGaN Epi / SiとGaN Epi / SiCを含みます。主に電源と高周波通信ユニットに応用されます。

  • エピタキシャルウェーハ
    ウェーハワークスは、さまざまな分野に対応する豊富な製品ラインナップを提供しています。集積回路（IC）やディスクリート部品に不可欠な、軽ドープおよび高ドープのウェーハを取り扱っており、ボロン（B）、リン（P）、ヒ素（As）、アンチモン（Sb）などの各種ドーピング製品に加え、特定用途向けの共ドープ製品もご用意しています。主要な製品カテゴリ（以下は8インチを基準とした例）は下記の表に示されています。製品に関する詳細は、お気軽にお問い合わせください。...

    • 300 mm Epi Wafer
      • EPI Dopant: B, Ph
      • EPI layers: Single Layer / Dual Layers / Multi layers
      • Thickness range: 1 to 60 µm
      • Thickness uniformity: ≤1.5%
      • Resistivity range: 0.03 to 200 Ω-cm(N) / 5 to 20 Ω-cm (P)
      • Resistivity uniformity: ≤3%
    • 200 mm Epi Wafer and below
      • EPI Dopant: B, Ph
      • EPI layers: Single Layer / Dual Layers / Multi-layers Buried Layer
      • Thickness range: 1 to 130 µm
      • Thickness uniformity: ≤1.5%(150mm), ≤2%(200mm)
      • Resistivity range:  0.015 to 100 Ω-cm (N) / 0.03 to 100 Ω-cm (P)
      • Resistivity uniformity: ≤2%(150mm), ≤3%(200mm) 
  • カスタムウェーハ
    ウェーハワークスは、ポリッシュドウェーハ、エピタキシャルウェーハ、SOIウェーハのほか、さまざまなシリコン結晶製品の製造に対応しています。高度な技術力により、お客様の個別ニーズに応じた特注製品を提供しています。当社の取り扱い製品には、以下のようなカスタム対応品が含まれます。...

    • ウェーハワークスは、ポリッシュドウェーハ、エピタキシャルウェーハ、SOIウェーハのほか、さまざまなシリコン結晶製品の製造に対応しています。高度な技術力により、お客様の個別ニーズに応じた特注製品を提供しています。当社の取り扱い製品には、以下のようなカスタム対応品が含まれます。

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305 材料、ナノテクノロジー
  • 材料；ナノテクノロジー
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  • インゴット
  • ポリシリコンまたは粒状ポリシリコン；結晶成長材
    • 308 材料、基板
  • MEMS用薄膜及び厚膜基板
  • SOI/SOS/シリコンカーバイド
  • エピタキシャル/Epi/ゲッタード/内部ゲッターウェーハ
  • 化合物半導体（GaAs、GaN、InP、SiGe）
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