UniTemp

当社の装置は、精密な昇温制御と高速な降温性能、優れた温度均一性を実現しています。最大温度は400°C（オプションで500°Cまで対応）、真空度は最大10⁻³ hPaまで対応可能です。

また、装置サイズのバリエーションも豊富で、幅広い基板サイズに対応いたします。お客様のニーズにもきっと最適なモデルをご提供できます。

新たに最大温度1500°Cオプションを搭載したことで、さらにお客様のニーズに柔軟に対応可能となりました。本装置は直径100mmまでの基板や4インチウェハの処理が可能で、昇温速度は単一Siウェハで最大150 K/sec〜200 K/sec、降温速度は1000°Cから400°Cの範囲で最大200 K/minを実現します。

研究開発、試作開発、小ロット生産などの用途に最適で、ラボ設備に優れた追加装置となります。

RTP-200は、単一Siウェハに対して昇温速度50 K/sec〜100 K/secを実現し、シリコン、GaAs、GaN/サファイア、ゲルマニウム基板などの素材に対して高速加熱が可能です。水冷フレームにより、1000°Cから400°Cの範囲で最大200 K/minの降温速度を達成します。内蔵のSIMATIC制御システムにより、高精度な温度安定性も保証されます。

研究開発、試作開発、小ロット生産などの用途に応用例としては、以下のような用途が挙げられます：

新しいプロセスの開発・研究を行う研究者向けの実験炉、試作研究、環境研究目的、または小規模な試作・量産用途などです。最適で、ラボの設備に優れた追加装置となります。

 

VSS-620 真空はんだリフロー装置は、最大620mmⅹ620mm基板サイズの各種はんだ付けプロセスに最適な装置です。

用途例：新規プロセスの開発・研究を行う開発者向けのあらゆる用途に対応したラボ用加熱炉。試作開発、環境研究、小規模な試作や少量生産にも適しています。

VSS-620は、運送ロボットや、ローダー・アンローダーと連携が可能。研修開発用途はもちろん、小量多品種生産の自動化、複数台組み合わせることで量産にも対応可能です。