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Wafer Works Corporation

Longtan,  Taoyuan 
Taiwan
http://www.waferworks.com
  • Booth: I3223

Overview

Wafer Works Corporation was established in 1997. The founding team was from Silicon Valley in U.S.A. andsemiconductor industry in Taiwan. All the team members were equipped well with rich experience in the semiconductor industry. Wafer Works has become one of the global top ten semiconductor wafer material suppliers.


  Press Releases

  • 合晶科技於本屆 SEMICON Taiwan 正式展示其以製程經驗為基底、橫跨 GaN 與 SOI 的雙平台策略,宣示在 AI、資料中心與車用等高電流與高可靠度應用市場的全面佈局。面對全球半導體供應鏈對高效能材料與量產能力的高期待,合晶以二十餘年矽晶圓製程與品質管理經驗為核心,將既有能力延伸至化合物半導體材料與矽基特殊材料領域,並透過集團內部事業群的協同,提供從基板到系統整合的完整材料解決方案。

    合晶集團的兩大新事業群——合晶寬能(WBG Works)與睿晶科技(Silicon Works)分別專注於功率元件與感測/互聯應用的技術需求。合晶寬能主攻氮化鎵(GaN)磊晶技術開發,鎖定 AI 伺服器與車用電力電子等需承受大電流與高熱載荷的功率元件應用領域;睿晶科技則鑽研 SOI(Silicon on Insulator)基板與感測材料的應用,深植AI機器人、工業自動化、矽光子晶體的精密感測。合晶的策略並非單一技術堆疊,而是強調「製程移轉 + 平台整合 + 生態系協作」,追求在產品化與量產節點上取得競爭優勢。

    在市場面向, AI 與資料中心趨勢帶來的雙重壓力:一方面要求更高的電能轉換效率與更小的系統能耗;另一方面,對資料傳輸延遲與感測精度的需求不斷攀升。為回應這些挑戰,合晶採取三大行動方向:第一,技術延伸與融合——把矽製程的良率與量產經驗套用於 GaN 與 SOI 的製造流程,減少研發到量產的摩擦。第二,市場導向的產品化——針對 AI 伺服器電源模組、車用功率系統以及機器人感測器等終端市場,設計具備量產可行性的材料與晶圓規格。第三,建立生態系合作——與元件設計廠、封裝測試廠與系統整合商密切合作,從材料供應延伸到系統導入,縮短客戶導入週期。

    技術面上,合晶強調的是製程穩定性與良率控制。透過在晶圓製造中的精密製程管理、表面處理與品質檢測能力,合晶得以在 GaN 與 SOI 的生產節點上降低失效率,提升良率。在供應鏈管理上,集團的採購、產能協調與物流體系也提供客戶穩定供應的信心,特別是在車用與資料中心等對品質有嚴格要求的全球市場。

    從商業角度而言,合晶的雙平台策略具有互補效益:GaN 提供高電流處理與高效率的電力轉換解決方案,適合 AI 伺服器與車用電力電子;SOI 則提供高精度、低功耗的感測基材,回應機器人與工業自動化對感測精準度與穩定性的需求。兩者合力能在系統層級為客戶提供更完整的技術選項,並在不同應用場域中互為補強。

    合晶以「製程經驗作為創新與量產化的橋梁」,將 GaN 與 SOI 兩條技術路線結合為集團級的材料供應策略。面對 AI 與車用市場的快速成長與高技術門檻,合晶以量產可及的材料產品、強化的供應鏈與橫向生態系合作作為立足點,於半導體供應鏈中扮演關鍵的材料供應者角色。

  • 合晶集團整合 WBG Works(合晶寬能)與 Silicon Works(睿晶科技)兩大平台,提出一套從基板到系統層級的材料解決方案,回應 AI 伺服器、資料中心、車用電力電子與智慧機器人等多元市場需求。集團的核心主張在於:以製程經驗驅動新材料的量產化,並透過橫向整合一體化整合,為客戶提供最高的服務價值。

    在產品線上,合晶寬能的 GaN 磊晶材料提供高載流、低損耗及優異導熱的電力電子基材,適合用於伺服器電源模組、車用逆變器與高速充電系統;睿晶的 SOI 產品則著重於提供高精度、低漂移的感測器材料,特別適合應用於機器人與工業自動化的MEMS、壓力感測與慣性測量單元(IMU)等傳感元件。兩者在系統層級的互補,使合晶能同時解決功率轉換效率與感測精準度的雙重技術挑戰。

    為協助客戶加速導入,合晶提供從材料評估、製程相容性驗證到量產技術支援的完整服務,並與元件設計、封裝測試及系統整合合作夥伴共同建立導入平台。此舉旨在降低客戶的開發風險、縮短產品上市時間,並確保產品在可靠度與成本之間取得最大效益。

    展望未來,合晶計畫在維持 GaN 與 SOI 現有技術路線的同時,持續優化製程良率、擴充產能並深化與生態系夥伴的協作。合晶相信,透過材料創新與製程量產能力的結合,將能在 AI、車用與智慧機器人等高速成長領域中,成為關鍵的材料供應夥伴,並推動AI世代電子系統的高效能與可靠化。

  • 合晶寬能(WBG Works)作為合晶集團專責氮化鎵(GaN)材料研發與量產的一環,本次於 SEMICON Taiwan 強調其在高電流承載、散熱管理與製程相容性的技術成果。隨著 AI 計算與電動車市場對功率元件提出更苛刻的需求,GaN 材料因具高載流能力、快速開關特性與良好熱穩定性可使電源模組輕量化,正逐漸取代傳統矽基功率元件的應用。

    合晶寬能的核心定位集中於AI 伺服器電源模組、資料中心電力管理以及車用功率元件(例如逆變器、電動車充電系統)提供高品質的 GaN磊晶材料。這些應用皆需大電流、高功率密度以及嚴格的熱管理需求。針對這些課題,合晶寬能在產品開發上聚焦三大面向:一是基板厚度與導熱性能的調校,以提升整體散熱效率並支援高密度封裝;二是優化摻雜與磊晶結構,降低導通電阻並提升電流承載能力與可靠度;三是確保製程相容性,使 GaN 材料能無縫整合至現行封裝、焊接與測試流程,便利客戶將元件快速導入量產。

    在量產化策略上,合晶寬能依託母公司在矽晶圓製程與良率控制上的深厚經驗,建立了從材料配方、薄膜磊晶、表面處理到品質檢測的一條龍生產流程。此一流程不僅強化了產品一致性,也降低新材料轉移至量產時的技術風險。對於車用市場而言,合晶寬能特別強調符合可靠度與極端溫度循環標準的測試能力,並在供應鏈管理上提供可預期的交貨時程與品質保障。

    採用 GaN 材料的電源解決方案能夠在相同或更小的體積下提供更高的效率,降低損耗,並減輕散熱系統負擔;對於資料中心而言,這代表每單位運算能耗的降低與運營成本的改善;對車用系統則意味著更高的能量轉換效率與更緊湊的功率模組設計空間。

    合晶寬能的市場策略不僅聚焦於材料本身的技術提升,也強調與元件設計廠、模組廠與系統整合商的密切合作,協助客戶在設計驗證(DVT)與量產導入階段達成目標。整體而言,合晶寬能正以可量產的 GaN 解決方案,切入 AI 與車用等對大電流有迫切需求的市場,並以製程穩定與串聯供應鏈作為其核心競爭力。

  • 睿晶科技(Silicon Works)在本屆 SEMICON Taiwan 的展示重心放在 SOI(Silicon on Insulator)基板於機器人與工業自動化感測器應用之技術落地。睿晶此次把展出的主力放在 MEMS 感測器、壓力感測以及慣性感測(如加速度計與陀螺儀)等能立即支援機器人系統穩定運作的關鍵元件上。

    SOI 平台的優勢在於其材料本身的隔離特性與較低的寄生電容,這些特性使類比電路與微機電結構在訊號品質、靈敏度與溫度穩定性上均有明顯提升。對於機器人系統而言,感測器的精度與穩定性直接關係到定位、姿態控制與運動協調的整體表現;在自動化與無人平台等長時間運作場景下,降低漂移與雜訊更是關鍵需求。睿晶以此為技術核心,開發出可與主流製程與封裝流程相容的 SOI 材料規格,協助感測器廠商縮短從樣品試產到量產的驗證週期。

    在產品與應用示範方面,睿晶展示了多種以 SOI 為基礎的感測元件與合作案例,與感測器設計廠建立緊密合作關係,提供材料評估等工程支援,確保客戶在開發階段即能考量到量產需求與成本結構。

    矽光子技術仍被列為睿晶的重要發展方向,用以應對未來資料傳輸與低延遲的需求。睿晶科技的SOI技術,鎖定機器人系統的感測需求為切入點,透過量產相容的材料規格、製程整合與生態系協作,加速感測器產品的商業化,並以穩定性與可靠性作為市場競爭的核心要素。未來睿晶具備將 SOI 與矽光子能力整合的潛力,提供一站式的材料配套解決方案。


  Products

  • Polished Wafer
    We supply lightly- and highly-doped wafers, including those with diameters of 4, 5, 6, 8, and 12 inches. Available dopants include boron, phosphorus, arsenic, antimony, and custom co-doped options for specific applications....

    • Diameter (mm): 150 / 200 / 300
    • Dopant: B / P / As / Sb
    • Orientation: 100 / 111
    • Resistivity (ohm-cm):
      •  B (0.0005 ~ 1000)
      •  P (0.0008 ~ 0.0015, 1 ~ 100)
      •  As (0.0015 ~ 0.007)
      •  Sb (0.007 ~ 0.02)
    • *SSP or DSP
  • Epi Wafer
    We supply lightly- and highly-doped wafers (8–12") vital for integrated circuits and discrete components. Available dopants include boron, phosphorus, arsenic, antimony, and custom co-doped options for specific applications....

    • Diameter (mm): 150 / 200 / 300
    • Epi Dopant: B / P
    • Orientation: 100 / 111
    • Structure Design: Single or multiple layers
    • Epi Resistivity (ohm-cm): 0.02 ~ 1000
    • Epi Thickness (μm): 1 ~ 150
    • Substrate: Polished, SOI wafer or others   

    *Turnkey solution or buried layer Epi service

  • SOI Wafer
    The SOI wafers are widely used in MEMS, Power Semiconductors, and SiPh applications. Silicon Works collaborates with customers to design and integrate semiconductor engineering materials, offering comprehensive solutions....

    • Diameter (mm): 150 / 200
    • Dopant: B / P / As / Sb
    • Orientation: 100 / 111
    • Device Layer Thickness (μm): ≥0.2
    • Device Layer Tolerance (μm): ±0.5 ~ ±0.05
    • Structure Design: Single or multiple device layers / with or without terrace
    • Buried Oxide (μm): 0.1~ 4
  • Gan Epi Wafer
    WBG Works can provide customized and high-quality GaN epitaxial wafers. Owing to the key expertise of GaN epitaxial growth technology, GaN epitaxy can also be grown on SiC, SOI, and QST, such as advanced substrates....

    • Diameter (mm): 150 / 200
    • Total Epi Thickness (μm): 2 ~ 7
    • Epi Thickness Uniformity: ≤5%
    • FWHM (002): ≤700 arcsec
    • FWHM (102): ≤1200 arcsec
    • Warp (μm): ≤70
    • Concentration (cm-2): ≥9E+12
    • Mobility (cm2/V-s): ≥1600

    *Turnkey solution available