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物性：純淨乙炔無色無味，工業品常含磷化氫等雜質而有大蒜臭味。熔點-81.8℃（119kPa），沸點-83.8℃（昇華）。氣體密度（空氣=1）0.91。飽和蒸氣壓4.46MPa（20℃），臨界溫度35.2°C，臨界壓力6.19MPa。微溶於水，易溶於丙酮、乙醇、氯仿、DMF等有機溶劑。常溫下危險，無法液化儲存，採用丙酮或DMF溶解儲運。閃點-17.8℃，自燃點305℃，在空氣中爆炸極限極寬，爲2.3%–82%（vol），極易燃燒爆炸。

半導體應用：是PECVD工藝的關鍵碳源氣體，沉積無定形碳薄膜作爲光刻碳硬掩膜，廣泛應用於先進邏輯芯片、存儲器件和顯示面板製造。同時用於碳化硅同質外延生長，以及CVD/ALD製備氮化鎵基LED和功率器件的碳摻雜。此外，在原子層沉積（ALD）工藝中作爲碳前驅體沉積碳納米管、石墨烯、超薄類金剛石碳膜及含氫非晶碳膜等先進材料。

物性：無色至淺黃色發煙液體，有刺激性酸味。熔點-24.1℃，沸點136.4℃。密度1.726 g/mL（20℃）。遇水劇烈水解生成Ti(OH)4和HCl，放出大量白煙。易溶於無水乙醇、苯。蒸氣壓（20℃）約1.33 kPa。

半導體應用：原子層沉積（ALD）和化學氣相沉積（CVD）製備二氧化鈦（TiO2）高k柵介質薄膜的關鍵前驅體。也用於沉積氮化鈦（TiN）作爲金屬柵極或擴散阻擋層。四氯化鈦可在較低溫度下（150-400℃）形成高質量薄膜，且工藝窗口寬。但副產物HCl需高效尾氣處理。也用於製造鐵電薄膜和壓電材料。

物性：無色、有刺激性窒息氣味的氣體，易液化（沸點8.2℃）。熔點-122℃。液體密度約1.26 g/mL（0℃）。蒸氣壓（20℃）約1.63 MPa。遇潮溼空氣迅速水解生成HCl白霧。能與乙醇、乙醚劇烈反應。在空氣中可燃，燃燒界限4.1–98.8%。

半導體應用：低溫化學氣相沉積（LPCVD）製備氮化硅（Si3N4）和氧化硅（SiO2）的主流硅源。相比甲硅烷，二氯二氫硅可在較低溫度（650–750℃）下沉降高均勻性、低應力的薄膜。也用於外延硅生長（選擇性外延）及深溝槽填充。在原子層沉積中作爲硅前驅體，配合氨氣或氧氣生成高介電常數的絕緣層。高純品（≥99.99%）用於先進邏輯和存儲器製程。

物性：無色至淡黃色油狀液體，沸點159℃，熔點-1℃。密度約1.56 g/mL（25℃）。蒸氣壓（20℃）約0.3 kPa。遇水或溼氣劇烈分解並釋放HCl。易溶於四氯化碳、氯仿等有機溶劑。熱穩定性優於四氯化硅，但高溫仍可分解。

半導體應用：原子層沉積（ALD）和低壓CVD中沉積硅薄膜及含硅複合薄膜的重要前驅體。由於每個分子含有兩個硅原子，可在較低溫度（350–550℃）下實現高生長速率的金屬硅化物（如硅化鈦、硅化鈷）和純硅薄膜。也用於製備氮化硅、氧化硅作爲側壁隔離層。其氯配體可提供良好的自限制生長特性，適合高深寬比結構的保形覆蓋。

物性：無色、具有腐蛋味的劇毒氣體，熔點-132℃，沸點-14.5℃。氣體密度約2.7 g/L（15℃）。蒸氣壓（20℃）約0.42 MPa。在空氣中自燃（自燃點約30℃），遇氧氣劇烈反應。不溶於水，但可與烴類溶劑混溶。比甲硅烷更不穩定。 

半導體應用：用於低溫外延生長（LT-CVD）和非晶硅薄膜沉積。由於其分解溫度比甲硅烷低約150℃，可在低至350℃的襯底上形成高純度的硅或硅鍺（SiGe）薄膜，尤其適合柔性電子或熱敏感襯底。也用於生長用於快閃存儲器的納米晶硅。此外，乙硅烷是製備三維堆疊結構中的硅通道的有力前驅體。

物性：無色揮發性液體，沸點約52℃，熔點約0℃。密度約0.85 g/mL（20℃）。蒸氣壓（20℃）約0.17 bar。分子中硅-氮鍵極活潑，易水解生成硅烷和氨。對空氣和溼氣高度敏感，需在惰性氣氛下操作。具有類似氨的刺激性氣味。

半導體應用：先進原子層沉積（ALD）製備高質量氮化硅（SiN）薄膜的理想前驅體。與傳統的甲硅烷+氨氣工藝相比，三甲硅烷基胺可在低於450℃的溫度下實現無氯、低氫含量的保形沉積，顯著降低寄生電容和漏電流。其獨特的配體結構使得薄膜密度高、化學計量比準確。廣泛用於鰭式場效應晶體管（FinFET）側牆、自對準雙重圖案化以及3D NAND閃存的階梯結構和字線隔離層。