• 晶圆分拣机 (KAR-211) 设备特色 • 2~8 Load Ports；内置Load Port N2 Purge • 依制程Recipe需求，按照Wafer ID进行排序、分批、 并批、或传到指定晶圆盒位置 • 5轴双夹爪Robot高速移载无须Track，精度高速度快 • FFU风速与微正压可控，内流场经CFD分析设计，确 保下沉气流为均匀层流 • 兼容8吋、12吋、薄化晶圆；双面晶圆刻号读取 • 对应SECS/GEM • 对应SEMI E84 OHT取放交握 • SEMI S2 认证 性能规格 • 传片速度：700 WPH以上 • 传片精度：±0.05mm • ISO Class 3洁净度(FS-209E Class 1) 晶圆外观检查设备 (KMM-332) 设备特色 • 晶圆巨观目视检查及微观显微镜检查双重机能 • 巨观检测：摇杆控制马达驱动翻转机能，双面检查 角度>45度，并记录缺陷位置 • 微观检测：1000倍显微镜检查，附CCD取像装置， 并记录缺陷位置 • 多重晶圆载入机制：1站晶圆堆叠盒(Coin Stack Box)/3站前开式出货盒(FOSB) • 多重检查流程：依Recipe设定流程 • 内建晶圆缓冲站，连续检查不塞货 • 双Robot 取放料， 传送速度快 性能规格 • 单片传送时间：<30 Seconds • 平台定位精度：±2um • ISO Class 4洁净度(FS-209E Class 10) SCUBA-Load Port N2净化系统 规格 ►流量计控制，最高200 SLPM ►高纯度过滤器... Learn More

  • Savannah® Savannah® has become the preferred system for university researchers worldwide engaged in ALD and looking for an affordable yet robust platform. Savannah®’s efficient use of precursors and power-saving features substantially reduces the cost of operating a thin film deposition system. Key features include: In-Situ Ellipsometry In-Situ QCM Self Assembling Monolayers 2-Second Cycle Times Integrated Ozone Low Vapor... Learn More

  • 薄膜应力及晶圆弯曲度量测 FSM 900 系列(高溫) 新型材料在高温下很容易氧化。还容易产生气体及发生物质变化，FSM900TC -Vac 型号提供了一个封闭的加热腔。它可以应用于完全的充气环境或高真空的模式。 集成化的 FSM 900TC -Vac 系统可快速协助新材料处理热稳定和热负载。 温度范围: 可达900℃ (200mm 及 300mm晶圆) Thermal Desorption Spectroscopy (TDS - 系统可以起独立的TDS作用 - 分析整个或破损的晶圆，监测在温度循坏内的各式气体排放。 低K，铜和其他薄膜材料的表征 温度高达900℃ 在真空或惰性气体中操作 FSM 128 系列 (常溫) 所有FSM 128 系列都可配备自动平均基板厚度测量功能，以评估用于应力评估的输入晶圆。 128NT : 可测试200mm以下的晶圆 128L : 可测试300mm以下的晶圆 128G : 可测试450mm以下的晶圆 128 C2C : 弹夹到弹夹的全自动设备，可测量300mm以下的晶圆 128 FDP : 使用反射图案和光弹性测量技术对玻璃进行全面板局部和全球薄膜应力测量，面板尺寸 G4.5 和 G6。 半导体和平板应用的弓型和球型 薄膜应力绘图 非接触全晶片应力绘图 双波长激光器交换技术

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  • 自动光学检测系统 EagleT-AP 型号 整合了2D和3D检测和测量于同一平台内，保证在高性能下实现极高产能水平。 下一代凸块，高度直到2um。 超多数量的凸块检测和测量(5千万)。 凸块直径和表面缺陷的检测。 RDL测量和高度的检测。 TSV post-via-fill突出物检测(凸起)。 2D检测：粒子，小裂缝，小划痕，PM，墨点，污染，污迹等缺陷。 2D量测：Bump，RDL，Pad，UBM，Via的直径、宽度、长度和位移。 3D量测：Solder, Gold, Lead-free, Pillar, Copper, Micro bumps 和 Nails的高度、共面性、以及PR/PI厚度和Via开口的深度。 可编程彩色滤光片与可独立控制的暗场和亮场的光源系统相结合，加上精细设计的算法能取得最佳缺陷感知灵敏度，并提供最佳的产能。 可选双臂式机械手臂。 优秀的多重倍率组合，实现高TPT与检测平衡。 根据Die内不同区域的检测要求，智能化分区，并采用不同的算法和参数，实现更精准的缺陷检出。 在一个扫描周期内，能连续运用不同的对焦点，不同的倍率，不同的光照选项，设定不同的检测灵敏度和算法引擎，实现高精准缺陷检出。 Tool Matching: 允许在不同机台上运行同一个工作 (同版本软件)。 可进行在线和离线的工作设定，交互式自动程序，便于区域的定义。 EagleT-AP Plus 型号 此机专为先进封装的需求而设计，在提供超强算法的同时，也保持极高的性能与产能。 每片晶圆可超过6千万个Bumps

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  • 在集成电路测试领域，通过使用inTEST 的支撑手臂(manipulator) 和测试整合工具(docking hardware) 能有效提高ATE（测试系统）的利用率及使用灵活性，并长期保持系统整合的稳定性，有效提高测试结果的精确性和完整性，从而减少测试系统的维护成本，同时保护其他易损的测试组件。作为集成电路测试信号传输技术的领导者，inTEST 提供超高保真的测试信号传输路径，灵活的模块化设计，帮助实现可靠的测试，从而降低测试成本。 LS系列 半自动化！ 可预设编程对接整合工具以获得可重复的结果 GEN 2 大功率开关晶圆测试接口 LS2P POM 紧凑型, 占地面积小 与通用手臂拟比, 测台专用手臂可令测试单元占地面积减少多达24% CobalTM 系列机械手臂 (Test head manipulator) 适用于支撑和固定半导体测试系统的机械手臂

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  • 自动光学检测系统 EagleT-AP 型号 整合了2D和3D检测和测量于同一平台内，保证在高性能下实现极高产能水平。 下一代凸块，高度直到2um。 超多数量的凸块检测和测量(5千万)。 凸块直径和表面缺陷的检测。 RDL测量和高度的检测。 TSV post-via-fill突出物检测(凸起)。 2D检测：粒子，小裂缝，小划痕，PM，墨点，污染，污迹等缺陷。 2D量测：Bump，RDL，Pad，UBM，Via的直径、宽度、长度和位移。 3D量测：Solder, Gold, Lead-free, Pillar, Copper, Micro bumps 和 Nails的高度、共面性、以及PR/PI厚度和Via开口的深度。 可编程彩色滤光片与可独立控制的暗场和亮场的光源系统相结合，加上精细设计的算法能取得最佳缺陷感知灵敏度，并提供最佳的产能。 可选双臂式机械手臂。 优秀的多重倍率组合，实现高TPT与检测平衡。 根据Die内不同区域的检测要求，智能化分区，并采用不同的算法和参数，实现更精准的缺陷检出。 在一个扫描周期内，能连续运用不同的对焦点，不同的倍率，不同的光照选项，设定不同的检测灵敏度和算法引擎，实现高精准缺陷检出。 Tool Matching: 允许在不同机台上运行同一个工作 (同版本软件)。 可进行在线和离线的工作设定，交互式自动程序，便于区域的定义。 EagleT-AP Plus 型号 此机专为先进封装的需求而设计，在提供超强算法的同时，也保持极高的性能与产能。 每片晶圆可超过6千万个Bumps

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  • 薄膜应力及晶圆弯曲度量测 FSM 900 系列(高溫) 新型材料在高温下很容易氧化。还容易产生气体及发生物质变化，FSM900TC -Vac 型号提供了一个封闭的加热腔。它可以应用于完全的充气环境或高真空的模式。 集成化的 FSM 900TC -Vac 系统可快速协助新材料处理热稳定和热负载。 温度范围: 可达900℃ (200mm 及 300mm晶圆) Thermal Desorption Spectroscopy (TDS - 系统可以起独立的TDS作用 - 分析整个或破损的晶圆，监测在温度循坏内的各式气体排放。 低K，铜和其他薄膜材料的表征 温度高达900℃ 在真空或惰性气体中操作 FSM 128 系列 (常溫) 所有FSM 128 系列都可配备自动平均基板厚度测量功能，以评估用于应力评估的输入晶圆。 128NT : 可测试200mm以下的晶圆 128L : 可测试300mm以下的晶圆 128G : 可测试450mm以下的晶圆 128 C2C : 弹夹到弹夹的全自动设备，可测量300mm以下的晶圆 128 FDP : 使用反射图案和光弹性测量技术对玻璃进行全面板局部和全球薄膜应力测量，面板尺寸 G4.5 和 G6。 半导体和平板应用的弓型和球型 薄膜应力绘图 非接触全晶片应力绘图 双波长激光器交换技术

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  • Mark 7 系列 - 回流焊炉 最新低顶盖设计 MK7采用最新低顶盖设计，方便客户的操作和保养，机械的表面湿度更低，环保节能 革新的助焊剂回收系统 最少维护时间，最多生产时间，最高产量 革新的助焊剂回收系统，用收集瓶回收助焊剂，易更换清理可实现在线保养维修，延长保养周期，缩短保养所需时间，特殊冷却区设计，冷却区层板无助焊剂残留 优化的新型加热模组 - 优化的低高度加热模组，实现最佳均温性 - 最高可减少氮气消耗40%，均衡气流节省氮气 - 新型加热丝加热效率更高，寿命更长 极富灵活性的下降斜率 - 最新平板式冷却模组，能满足最严苛的温度曲线要求 - 可达到3度/秒以上的下降斜率，亦可轻松应对缓慢下降要求 - 独特的10英寸加热模组，拥有业内相同加热长度下最多温区，最多温控点 回流炉ＣＰＫ－实时监控工艺参数，有效提升产能和品质 三阶数据管理 第一阶：回流炉CPK 第二阶：工艺CPK 第三阶：产品追溯性管理 能源管理软件 - HELLER专有能源软件，智能化管理能源消耗 - 依据生产状态(满载，少量或閒置)，自动调整设备抽排风

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  • 高功率老化测试系统特性 MCC的老化测试系统具有每槽的图案区，多个温度区和每个DUT的独立温度控制。在所有128个独立的 I/O 通道后面， 高达64 M的矢量存储器，满足不同用户的低、中和高功率测试要求。 HPB-6系统 单颗最大功率1000W 独立温控，液体冷却系统 可同时放入16块老化板 每板最大4560安培 128个独立I/O，128个纯输出通道。多达128M矢量深度，超过8G的扫描记忆 最大测试频率10Mhz(并行)/40Mhz(扫描) 8个时钟，频率350Mhz HPB-5C+ 系统 独立温控，空气冷却系统 单颗最大功率150W 128个独立I/O，多达8M矢量深度，超过16G的扫描记忆 多达 800 MHz 高频率的时钟 每块 Burn-in-board上有16 组稳压器和1080Amps 的 DUT 电流 HPB-4B 系统 独立温控，液体冷却系统 ... Learn More

  • SEM及FIB设备 Helios 5激光PFIB系统 将一流的单色Elstar扫描电子显微镜(SEM) 柱与等离子聚焦离子束 (PFIB)和飞秒激光相结合，以产生具有原位消融能力的高分辨率成像和分析工具，提供前所未有的材料去除率，以纳米分辨率进行快速毫米尺度表征。 统计相关的地下和三维表征 飞秒激光器可以以比典型镓FIB快几个数量级的速度切割许多材料；可以在5分钟内创建一个大(100微米)的横截面。由于激光具有不同的去除机制(消融与FIB的离子溅射)，它可以很容易地处理具有挑战性的材料，如不导电或离子束敏感样品。 高质量的大批量分析 飞秒激光脉冲的持续时间极短，几乎没有产生任何伪影，如热冲击、微裂纹、熔化或典型的传统机械抛光。在大多数情况下，激光研磨的表面足够干净，可以进行直接的SEM成像，甚至可以进行电子反向散射（EBSD）映射等表面敏感技术。 该仪器建立在经过验证的Helios 5 PFIB平台上，结合了一套最先进的技术，可提供高性能、高分辨率透射电子显微镜（TEM）和原子探针断层扫描（APT）样品制备以及具有精确材料对比度的极高分辨率SEM成像。 主要特点 快速材料去除 : 毫米级截面，材料去除速度比典型的镓聚焦离子束快15000 倍。 统计相关的地下和三维数据分析 : 在更短的时间内获取更大数量的数据。 准确且可重复的切割放置 : 所有3 根梁（SEM/PFIB/ 激光）的相同重合点可以实现准确和可重复的切割放置和3D 表征。 深层地下特征的快速表征 : 提取地下TEM 薄片或块进行3D 分析。 具有挑战性的材料的高吞吐量处理 : 包括不导电或离子束敏感样品。 快速简便地表征空气敏感样品 : 无需在不同的仪器之间传输样品进行成像和横截面。 共享Helios 5 PFIB 平台的所有功能 : 高质量的无镓TEM 和APT 样品制备和高分辨率成像能力。 Apreo 2 SEM 场发射扫描电镜 主要特点

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  • 纳米压印机 CNI v3.0-桌面式纳米压印设备 容易复制微纳米结构，支持热压和紫外(UV)压印，即插即用，用途广泛，专为R&D设计。 特点： 桌面尺寸的纳米压印工具 热压印温度最高可达250℃ 紫外压印采用365 nm曝光波长(选配 405nm) 压印压力从0.3 bar至11 bar 真空条件下压印(降至1 mbar) 模板和基片尺寸:最大可达直径 210 mm 适用于各种不同形状的模板和基片 简单而坚固的工具很容易修复 手动装入、取出模板和基片，过程全自动控制 所有配方和处理流程的日志记录 ... Learn More

  • 原位对准晶圆键合机 晶圆对准键合机， 广泛应用于MEMS 器件， 晶圆级封装技术(WLP)， 先进真空封装基底，TSV 3D 互联工艺等。 AWB-04 : 可键合3”, 4” 及 6” 晶圆 AWB-08 : 可键合 6” 及 8” 晶圆 键合技术: 特的原位对准技术，对位精度1um（配置可见光源和红外光源） 腔室气压范围10-6mbar到2bar（绝对压力） 上下晶圆间距可达30mm（满足多片晶圆键合工艺） 上下压盘温度独立控制，最高温度可达560℃ 原位等离子活化技术，可实现低温直接键合 键合压力可达40kN 阳极键合电压可达2.5kV 小尺寸芯片键合夹具可选 紫外固化功能可选 近红外相机可选（适用于高掺杂晶圆） ROCK-04 : 可键合3”, 4” 及 6”晶圆 ROCK-08 : 可键合 6” 及 8” 晶圆 键合技术: 具有与 AWB 相同的功能及以下附加功能： 超高真空能力，可达10-8mbar，通过Cryo-pumping系统获得 未来可实现自动装载功能 AML键合工艺

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  • HEF熙科品牌划片刀，经过数年研发，已做到： 主要性能指标与DISCO/K&S--对应。 金刚石与DISCO一样也为五个浓度，11个颗粒细分 最薄刀刃可以做到13um。 已顺利实现在硬刀领域的大批量切割应用。 After several years ofdevelopment,HEF dicing blade has been achieved. The main performance indicators correspond one-to-one with DlSCO/K&S. Diamond, like DiSCO, has 5 concentrations and 11 particle subdivisions. The thinnest blade can reach 13um. Successfullyachieved large-scale cutting applications in the hard knife field. ... Learn More